 ===============================================================================
 «Публичная библиотека» (http://publ.lib.ru)
 ===============================================================================
 К. Зеегер
 Физика полупроводников
 Перевод с английского Р. Бразиса, А. Матулениса И.А. Тетервова
 Под редакцией Ю.К. Пожелы
 Москва: Издательство «Мир», 1977

 Semiconductor physics
 Karlheinz Seeger
 Ludwig Boltzmatin-Institut fur Festkorperphysik, Wien and Institut fur Angewandte Physik der Universitat Wien
 Springer-Veflag Wien New York, 1973

 УДК 621.382

 Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим изложением основных принципов физики полупроводников в ней можно найти достаточно обширный материал, касающийся новейших направлений исследований в этой области. Обилие охваченного в книге материала делает ее энциклопедическим справочником, полезным при работе над текущей научной литературой.
 Книга может служить учебным пособием для студентов физических и инженерных специальностей. Она представляет интерес для научных работников, работающих в различных областях физики полупроводников и полупроводниковой электроники, а также инженеров, преподавателей, аспирантов.

 Редакция литературы по физике

 ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие редактора перевода (5).
 Предисловие автора (9).
 Основные обозначения (11).
 Глава 1. Элементарные свойства полупроводников (19).
 §1. Диэлектрик - полупроводник - полуметалл - металл (19).
 §2. Положительно заряженная дырка (21).
 §3. Процессы проводимости, компенсация, закон действующих масс (23).
 Литература (28).
 Глава 2. Энергетическая зонная структура (29).
 §1. Одиночная и периодически повторяющиеся потенциальные ямы (29).
 §2. Энергетические зоны в приближении сильной связи (39).
 §3. Зона Бриллюэна (41).
 §4. Изоэнергетические поверхности (50).
 Литература (53).
 Глава 3. Статистика полупроводников (54).
 §1. Статистика Ферми (54).
 §2. Степени заполнения для примесных уровней (63).
 Литература (69).
 Глава 4. Перенос заряда и энергии в невырожденном полупроводнике (70).
 §1. Кинетическая теория электронного газа (70).
 §2. Электропроводность и ее зависимость от температуры (70).
 §3. Эффект Холла в поперечном магнитном поле (82).
 §4. Магниторезистивный эффект (96).
 §5. Диск Корбино (100).
 §6. Магниторезистивный эффект в неоднородных образцах (103).
 §7. Планарный эффект Холла (106).
 §8. Теплопроводность, число Лоренца, сравнение с металлами (107).
 §9. Термоэлектрический эффект (явление Зеебека) (113).
 §10. Эффекты Томсона и Пельтье (121).
 §11. Термомагнитные эффекты (127).
 §12. Пьезосопротивление (136).
 §13. Горячие электроны и время релаксации энергии (141).
 §14. Высокочастотная электропроводность (148).
 §15. Шум (150).
 Литература (152).
 Глава 5. Диффузия носителей заряда (155).
 §1. Инжекция и рекомбинация (155).
 §2. Диффузия и соотношение Эйнштейна (157).
 §3. p-n-переход (164).
 §4. Квазиуровни Ферми (174).
 §5. Транзистор (176).
 §6. Контакт металл - полупроводник (182).
 §7. Различные типы транзисторов (184).
 §8. Эффект Дембера и фотоэлектромагнитный эффект (188).
 §9. Вентильный фотоэффект (191).
 §10. Диффузия горячих носителей (194).
 Литература (197).
 Глава 6. Механизмы рассеяния в сферической однодолинной модели (198).
 §1. Рассеяние на нейтральных примесях (198).
 §2. Упругое рассеяние (202).
 §3. Рассеяние на ионизованных примесях (205).
 §4. Рассеяние равновесных Носителей на акустическом деформационном потенциале (211).
 §5. Рассеяние горячих носителей на акустическом деформационном потенциале (215).
 §6. Совместное действие рассеяния на ионизованных примесях и на акустическом деформационном потенциале (221).
 §7. Пьезоэлектрическое рассеяние (229).
 §8. Спектр фононов в кристалле (231).
 §9. Механизмы неупругого рассеяния (241).
 §10. Уравнение баланса импульса и смещенное максвелловское распределение (246).
 §11. Рассеяние на оптическом деформационном потенциале (250).
 §12. Полярное оптическое рассеяние (260).
 §13. Межэлектронное рассеяние (270).
 §14. Проводимость по примесной зоне и механизм перескоков (271).
 §15. Рассеяние на дислокациях (273).
 Литература (277).
 Глава 7. Перенос заряда и процессы рассеяния в многодолинной модели (280).
 §1. Тензор деформационного потенциала (280).
 §2. Электропроводность (284).
 §3. Эффект Холла в слабом магнитном поле (289).
 §4. Магниторезистивный эффект в слабом магнитном поле 291
 §5. Рассеяние между эквивалентными долинами и эффект перезаселения долин (298).
 §6. Гальваномагнитные эффекты, обусловленные теплыми и горячими носителями заряда (310).
 §7. Неэквивалентное междолинное рассеяние. Отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции Ганна (317).
 §8. Акустоэлектрический эффект (331).
 Литература (340).
 Глава 8. Явления переноса в модели гофрированных сфер (343).
 §1. Энергетические зоны и плотность состояний (343).
 §2. Электропроводность (348).
 §3. Эффект Холла и магниторезистивный эффект (349).
 §4. Теплые и горячие дырки (356).
 Литература (359).
 Глава 9. Квантовые эффекты в явлениях переноса (361).
 §1. Туннельный диод (361).
 §2. Магнитные квантовые эффекты (366).
 §3. Магнитное вымораживание носителей (371).
 §4. Магнитофононный эффект (374).
 Литература (380).
 Глава 10. Ударная ионизация и лавинный пробой (382).
 §1. Ударная ионизация в однородно легированных полупроводниках при низких температурах (382).
 §2. Лавинный пробой в p-n-переходах (389).
 Литература (393).
 Глава 11. Поглощение и отражение света (395).
 §1. Собственное поглощение и зонная структура (395).
 §2. Край собственного поглощения: зависимость от температуры, давления, состава твердого раствора и вырождения (399).
 §3. Экситонное поглощение (410).
 §4. Межзонные переходы в магнитном поле (413).
 §5. Эффект Франца - Келдыша (электропоглощение и электроотражение) (419).
 §6. Примесное поглощение (424).
 §7. Решеточное отражение в полярных полупроводниках (432).
 §8. Многофононное решеточное поглощение (436).
 §9. Квантовомеханическая трактовка края собственного поглощения света (439).
 §10. Поглощение и отражение света свободными носителями заряда (445).
 §11. Циклотронный резонанс (468).
 §12. Магнитооптические эффекты, обусловленные свободными носителями (476).
 §13. Межзонные магнитооптические эффекты (488).
 §14. Магнитоплазменные волны (489).
 §15. Нелинейная оптика (493).
 §16. Светоэлектрический эффект (увлечение фотонами) (500).
 Литература (501).
 Глава 12. Фотопроводимость (507).
 §1. Кинетика фотопроводимости (507).
 §2. Глубокие уровни в германии (514).
 §3. Сечение захвата акцепторного уровня прилипания (521).
 Литература (522).
 Глава 13. Генерация света в полупроводниках (523).
 §1. Светодиоды (523).
 §2. Полупроводниковый лазер (528).
 Литература (538).
 Глава 14. Свойства поверхности (540).
 §1. Поверхностные состояния (540).
 §2. Явления переноса на поверхности (546).
 Литература (551).
 Глава 15. Разные полупроводники (553).
 §1. Сверхпроводящие полупроводники (553).
 §2. Жидкие, стеклообразные и аморфные полупроводники (556).
 §3. Органические полупроводники (568).
 Литература (573).
 Приложение 1. Тензоры электро- и теплопроводности (575).
 Приложение 2. Модифицированные функции Бесселя (579).
 Литература (582).
 Приложение 3. Методы измерения удельного сопротивления и эффекта Холла (583).
 Литература (590).
 Приложение 4. Коэффициенты прозрачности и отражения света; соотношения Крамерса - Кронига (591).
 Литература (596).
 Приложение 5. Измерение типичных свойств полупроводников (597).
 Численные значения важных постоянных (599).
 Предметный указатель (600).
 Указатель материалов (607).

 К. Зеегер
 ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
 Редактор Н. Телеснин
 Художественный редактор И. Каледин
 Художник Н. Алексеев
 Технический редактор Н. Толстякова
 Корректор В. Соколов
 Сдано в набор 27/ХII 1976 г. Подписано к печати 13/VII 1977 г. Цена 2 р. 90к.
 Издательство «Мир». Москва.
 ===============================================================================
 *** О П И С А Н И Е * И З Д А Н И Я *** 5.4 ***
 ===============================================================================
 |ТИТУЛ ВЕБ-СТРАНИЦЫ¦ Зеегер Карлхайнц
 |СЕРИЯ, ГОД, НОМЕР ¦
 |АВТОРЫ... НАЗВАНИЕ¦ Зеегер К._ Физика полупроводников.
 |НАЗВАНИЕ ОРИГИНАЛА¦ Semiconductor physics, 1973
 |ЖАНР-ФОРМА-ВИД-ТИП¦
 Автор: Карлхайнц Зеегер (Karlheinz Seeger).
 Перевод с английского Р. Бразиса, А. Матулениса И.А. Тетервова.
 Под редакцией Ю.К. Пожелы.
 Художник: Н. Алексеев.
 |ИЗДАТЕЛЬ. - СЕРИЯ ¦ Москва: Издательство «Мир»: Редакция литературы по физике, 1977
 |АВТОРЫ ФАЙЛА И OCR¦ Скан, обработка, формат Pdf: derevyaha, fire_varan, 2025
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ПАПКИ¦ Zeeger_K.
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ СЕРИИ¦
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ФАЙЛА¦ Zeeger_K.__Fizika_poluprovodnikov.(1977)
 |ДОПОЛНЕНИЯ К ИМЕНИ¦ [djv] [pdf]
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ОБЛ. ¦ Fizp77
 |АННОТАЦИЯ ИЗДАНИЯ ¦ ИЗ ИЗДАНИЯ:
 Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим изложением основных принципов физики полупроводников в ней можно найти достаточно обширный материал, касающийся новейших направлений исследований в этой области. Обилие охваченного в книге материала делает ее энциклопедическим справочником, полезным при работе над текущей научной литературой.
 Книга может служить учебным пособием для студентов физических и инженерных специальностей. Она представляет интерес для научных работников, работающих в различных областях физики полупроводников и полупроводниковой электроники, а также инженеров, преподавателей, аспирантов.
 |СОДЕРЖАНИЕ ИЗДАНИЯ¦ ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие редактора перевода (5).
 Предисловие автора (9).
 Основные обозначения (11).
 Глава 1. Элементарные свойства полупроводников (19).
 §1. Диэлектрик - полупроводник - полуметалл - металл (19).
 §2. Положительно заряженная дырка (21).
 §3. Процессы проводимости, компенсация, закон действующих масс (23).
 Литература (28).
 Глава 2. Энергетическая зонная структура (29).
 §1. Одиночная и периодически повторяющиеся потенциальные ямы (29).
 §2. Энергетические зоны в приближении сильной связи (39).
 §3. Зона Бриллюэна (41).
 §4. Изоэнергетические поверхности (50).
 Литература (53).
 Глава 3. Статистика полупроводников (54).
 §1. Статистика Ферми (54).
 §2. Степени заполнения для примесных уровней (63).
 Литература (69).
 Глава 4. Перенос заряда и энергии в невырожденном полупроводнике (70).
 §1. Кинетическая теория электронного газа (70).
 §2. Электропроводность и ее зависимость от температуры (70).
 §3. Эффект Холла в поперечном магнитном поле (82).
 §4. Магниторезистивный эффект (96).
 §5. Диск Корбино (100).
 §6. Магниторезистивный эффект в неоднородных образцах (103).
 §7. Планарный эффект Холла (106).
 §8. Теплопроводность, число Лоренца, сравнение с металлами (107).
 §9. Термоэлектрический эффект (явление Зеебека) (113).
 §10. Эффекты Томсона и Пельтье (121).
 §11. Термомагнитные эффекты (127).
 §12. Пьезосопротивление (136).
 §13. Горячие электроны и время релаксации энергии (141).
 §14. Высокочастотная электропроводность (148).
 §15. Шум (150).
 Литература (152).
 Глава 5. Диффузия носителей заряда (155).
 §1. Инжекция и рекомбинация (155).
 §2. Диффузия и соотношение Эйнштейна (157).
 §3. p-n-переход (164).
 §4. Квазиуровни Ферми (174).
 §5. Транзистор (176).
 §6. Контакт металл - полупроводник (182).
 §7. Различные типы транзисторов (184).
 §8. Эффект Дембера и фотоэлектромагнитный эффект (188).
 §9. Вентильный фотоэффект (191).
 §10. Диффузия горячих носителей (194).
 Литература (197).
 Глава 6. Механизмы рассеяния в сферической однодолинной модели (198).
 §1. Рассеяние на нейтральных примесях (198).
 §2. Упругое рассеяние (202).
 §3. Рассеяние на ионизованных примесях (205).
 §4. Рассеяние равновесных Носителей на акустическом деформационном потенциале (211).
 §5. Рассеяние горячих носителей на акустическом деформационном потенциале (215).
 §6. Совместное действие рассеяния на ионизованных примесях и на акустическом деформационном потенциале (221).
 §7. Пьезоэлектрическое рассеяние (229).
 §8. Спектр фононов в кристалле (231).
 §9. Механизмы неупругого рассеяния (241).
 §10. Уравнение баланса импульса и смещенное максвелловское распределение (246).
 §11. Рассеяние на оптическом деформационном потенциале (250).
 §12. Полярное оптическое рассеяние (260).
 §13. Межэлектронное рассеяние (270).
 §14. Проводимость по примесной зоне и механизм перескоков (271).
 §15. Рассеяние на дислокациях (273).
 Литература (277).
 Глава 7. Перенос заряда и процессы рассеяния в многодолинной модели (280).
 §1. Тензор деформационного потенциала (280).
 §2. Электропроводность (284).
 §3. Эффект Холла в слабом магнитном поле (289).
 §4. Магниторезистивный эффект в слабом магнитном поле 291
 §5. Рассеяние между эквивалентными долинами и эффект перезаселения долин (298).
 §6. Гальваномагнитные эффекты, обусловленные теплыми и горячими носителями заряда (310).
 §7. Неэквивалентное междолинное рассеяние. Отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции Ганна (317).
 §8. Акустоэлектрический эффект (331).
 Литература (340).
 Глава 8. Явления переноса в модели гофрированных сфер (343).
 §1. Энергетические зоны и плотность состояний (343).
 §2. Электропроводность (348).
 §3. Эффект Холла и магниторезистивный эффект (349).
 §4. Теплые и горячие дырки (356).
 Литература (359).
 Глава 9. Квантовые эффекты в явлениях переноса (361).
 §1. Туннельный диод (361).
 §2. Магнитные квантовые эффекты (366).
 §3. Магнитное вымораживание носителей (371).
 §4. Магнитофононный эффект (374).
 Литература (380).
 Глава 10. Ударная ионизация и лавинный пробой (382).
 §1. Ударная ионизация в однородно легированных полупроводниках при низких температурах (382).
 §2. Лавинный пробой в p-n-переходах (389).
 Литература (393).
 Глава 11. Поглощение и отражение света (395).
 §1. Собственное поглощение и зонная структура (395).
 §2. Край собственного поглощения: зависимость от температуры, давления, состава твердого раствора и вырождения (399).
 §3. Экситонное поглощение (410).
 §4. Межзонные переходы в магнитном поле (413).
 §5. Эффект Франца - Келдыша (электропоглощение и электроотражение) (419).
 §6. Примесное поглощение (424).
 §7. Решеточное отражение в полярных полупроводниках (432).
 §8. Многофононное решеточное поглощение (436).
 §9. Квантовомеханическая трактовка края собственного поглощения света (439).
 §10. Поглощение и отражение света свободными носителями заряда (445).
 §11. Циклотронный резонанс (468).
 §12. Магнитооптические эффекты, обусловленные свободными носителями (476).
 §13. Межзонные магнитооптические эффекты (488).
 §14. Магнитоплазменные волны (489).
 §15. Нелинейная оптика (493).
 §16. Светоэлектрический эффект (увлечение фотонами) (500).
 Литература (501).
 Глава 12. Фотопроводимость (507).
 §1. Кинетика фотопроводимости (507).
 §2. Глубокие уровни в германии (514).
 §3. Сечение захвата акцепторного уровня прилипания (521).
 Литература (522).
 Глава 13. Генерация света в полупроводниках (523).
 §1. Светодиоды (523).
 §2. Полупроводниковый лазер (528).
 Литература (538).
 Глава 14. Свойства поверхности (540).
 §1. Поверхностные состояния (540).
 §2. Явления переноса на поверхности (546).
 Литература (551).
 Глава 15. Разные полупроводники (553).
 §1. Сверхпроводящие полупроводники (553).
 §2. Жидкие, стеклообразные и аморфные полупроводники (556).
 §3. Органические полупроводники (568).
 Литература (573).
 Приложение 1. Тензоры электро- и теплопроводности (575).
 Приложение 2. Модифицированные функции Бесселя (579).
 Литература (582).
 Приложение 3. Методы измерения удельного сопротивления и эффекта Холла (583).
 Литература (590).
 Приложение 4. Коэффициенты прозрачности и отражения света; соотношения Крамерса - Кронига (591).
 Литература (596).
 Приложение 5. Измерение типичных свойств полупроводников (597).
 Численные значения важных постоянных (599).
 Предметный указатель (600).
 Указатель материалов (607).
 ===============================================================================