«Физика полупроводников и полупроводниковых приборов» (серия)

«Физика полупроводников и полупроводниковых приборов» 271k

-

(1959)

◄ СМЕНИТЬ ► |▼ О СТРАНИЦЕ ▼

▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼| ◄ СМЕНИТЬ ►

Серия. Москва: Издательство «Наука».

:
...

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

Архив этой страницы:

* Мойжес Б.Я._ Физические процессы в оксидном катоде.(1968).djvu
* Nosov_Yu.R.,_Shilin_V.A.__Osnovy_fiziki_priborov_s_zaryadovoy_svyaz'yu.(1986).[djv-fax].zip
* Nosov_Yu.R.,_Shilin_V.A.__Osnovy_fiziki_priborov_s_zaryadovoy_svyaz'yu.(1986).[pdf-fax].zip
* Shtefel'_I.T.__Termorezistory.(1973).[djv-fax].zip

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

Список некоторых изданий (групп изданий), текстографии сборников, литература:

* Носов Ю.Р., Шилин В.А. Основы физики приборов с зарядовой связью. (1986)
* Шефтель И.Т. Терморезисторы. (1973) Монография

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

Описания некоторых изданий:

▼

▲

Ⓐ ⒸНосов Ю.Р., Шилин В.А. Основы физики приборов с зарядовой связью. [Djv-Fax- 8.8M] [Pdf-Fax-10.1M] Авторы: Юрий Романович Носов, Виктор Абрамович Шилин.
(Москва: Издательство «Наука»: Главная редакция физико-математической литературы, 1986. - Серия «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов»)
Скан: AAW, обработка, формат Djv-Fax, Pdf-Fax: pohorsky, 2022

ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (5).
Глава 1. Приборы с зарядовой связью. Основные положения и определения (9).
§1.1. Принцип действия ППЗ (9).
§1.2. Динамика переноса зарядов (17).
§1.3. Применение ППЗ (24).
§1.4. Разновидности ППЗ (28).
§1.5. Историческая справка (33).
Глава 2. Основы теории ПЗС (поверхностный канал) (38).
§2.1. Квазистационарное состояние МДП-структуры (38).
§2.2. Термогенерация (42).
§2.3. Передача зарядовых пакетов (55).
§2.4. Передача при управлении двухступенчатыми импульсами (59).
§2.5. Передача при управлении трапецеидальными импульсами (73).
§2.6. Аналитические оценки (81).
§2.7. Особенности асимметричных ПЗС-структур (97).
§2.8. Асимметричные структуры с управлением трапецеидальными импульсами (104).
§2.9. Двухмерные эффекты (116).
§2.10. Учет поверхностных состояний (122).
§2.11. Некоторые экспериментальные результаты (132).
Глава 3. Теория объемных ПЗС (138).
§3.1. МДП-структура с объемным каналом (ступенчатый профиль распределения примесей) (139).
§3.2. Структуры с произвольным профилем распределения примесей (152).
§3.3. Двухмерные эффекты (167).
§3.4. Передача зарядов в объемных ПЗС (174).
§3.5. Влияние объемных ловушек (178).
§3.6. Экспериментальные результаты (183).
Глава 4. Фотоэлектрические характеристики (195).
§4.1. Поглощение света в МДП-структурах (196).
§4.2. Спектральные характеристики (203).
§4.3. Частотно-контрастная характеристика (205).
§4.4. ЧКХ приборов с произвольной апертурой (215).
§4.5. Фотоэлектрические свойства различных типов ФПЗС (228).
§4.6. Экспериментальные результаты (233).
§4.7. ФПЗС в ИК-диапазоне (238).
Глава 5. Шумы ПЗС (242).
§5.1. Источники шума и его расчет (243).
§5.2. Влияние шумов на характеристики ПЗС-устройств (251).
§5.3. Экспериментальные результаты (264).
§5.4. Неоднородности в элементах ПЗС (271).
Глава 6. Прикладные вопросы (276).
§6.1. ПЗС - изделие функциональной электроники (276).
§6.2. Применение ПЗС (278).
§6.3. Автоматизация проектирования ПЗС (290).
§6.4. Расчеты квазистатического состояния цепей ПЗС (294).
§6.5. Оптимальное проектирование ПЗС (300).
Заключение (305).
Список литературы (311).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Изложены физические основы новых перспективных элементов микроэлектроники и оптоэлектроники - полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Приведены результаты теоретического анализа и экспериментального исследования статических, динамических, фотоэлектрических, шумовых характеристик этих приборов. Рассмотрена зависимость основных параметров приборов с зарядовой связью от электрофизических свойств исходного полупроводникового материала. Проведена оценка предельных возможностей нового направления интегральной электроники, в основе которого лежит использование полупроводниковых приборов с зарядовой связью.
Для физиков и инженеров, занимающихся исследованием, разработкой, применением полупроводников и полупроводниковых приборов, а также для студентов старших курсов.

▼

▲

Ⓐ ⒸШефтель И.Т. Терморезисторы. (Электропроводность 3d-окислов. Параметры, характеристики и области применения). [Djv-Fax-10.6M] Монография. Автор: Иосиф Теодорович Шефтель.
(Москва: Издательство «Наука»: Главная редакция физико-математической литературы, 1973. - Серия «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов»)
Скан: AAW, OCR, обработка, формат Djv-Fax: pohorsky, 2017

КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (7).
Введение (9).
Глава I. Модельные представления о механизме электропроводности 3d-окислов (13).
Глава II. Феноменологическая теория электропроводности 3d-окислов (45).
Глава III. Фазовое равновесие в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди (91).
Глава IV. Электропроводность полупроводников в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди (125).
Глава V. Повторная термообработка как способ регулирования электропроводности полупроводников в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди (193).
Глава VI. Полупроводниковые твердые растворы на основе титаната бария (229).
Глава VII. Основы технологии изготовления терморезисторов (265).
Глава VIII. Основные параметры и характеристики терморезисторов (277).
Глава IX. Терморезисторы в современной технике (303).
Глава X. Промышленные типы терморезисторов (338).
Заключение (395).
Литература (397).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Книга посвящена терморезисторам - полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры.
В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и физико-химические основы технологии изготовления различных типов терморезисторов. Во второй части рассматриваются основные параметры, характеристики и конструкции современных промышленных типов терморезисторов с отрицательным и положительным температурным коэффициентом сопротивления, а также примеры их практического использования.