...советский и российский физик, специалист в области физики полупроводников. Доктор физико-математических наук (1967), профессор (1968), академик РАЕН (физика полупроводников; 23.12.1993), заслуженный деятель науки и техники России, почетный профессор Ханойского технического университета, Международный «Человек года» Кембридж 1997-1998. Дважды лауреат Государственной премии СССР (1975 год и 1987 год). Заведующий кафедрой технологии полупроводниковых материалов (ныне материалов микро-, опто-, и наноэлектроники), профессор Московского института тонкой химической технологии с 1977 г.
Родился в г. Ленинграде; окончил Ленинградский политехнический институт в 1949 г., 1949-1952 - на инженерных должностях завода «Уралэлетроаппарат»; 1952-1964 - старший научный сотрудник, заведующий лабораторией НИИ Министерства электронной промышленности; 1964-1977 - старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, заведующий отелом Института «Гиредмет»; в 1962-2002 работал в Московском институте тонкой химической технологии, где разработал учебные курсы: «Физика полупроводников», «Экспериментальные методы исследования полупроводников», «Физика и химия твердого тела». Заведующий кафедрой (1977), профессор. Специалист в области физики полупроводников. Подготовил 44 кандидата и 6 докторов наук. Обнаружил явление политропии примесей в полупроводниках (1961), установил основные закономерности встраивания d-электронов примесей переходных металлов в полупроводниках АIIIВV, предложил и разработал подход к описанию кинетики распада полупроводниковых твердых растворов, учитывающий зарядность выпадающих атомов примеси (1969-1971), выявил особенности состояния примесей переходных металлов в полупроводниках (1970-1973). Установил основные отличия распада полупроводниковых твердых растворов от металлических. Открыл неводородоподобность примесей водорода и др. одноэлектронных атомов в полупроводниках, разработал совместно с сотрудниками теорию поведения амфотерных примесей и примесей с d- и f в полупроводниках (1970, 1989). Соавтор открытия глубокого донорного состояния атомов водорода в германии и кремнии (№259, 1983). Исследовал новый класс примесей, изовалентных легируемому полупроводнику (1987), разработал метод лазерной имплантации примесей в полупроводники (1983-1986). Участвовал в разработке технологии и организации промышленного производства важнейшего полупроводникового материала - арсенида галлия (1975). Читал лекции в Технологическом институте г. Бургас (Болгария, 1989), в Техническом университете и институте материаловедения в г. Ханой (Вьетнам, 1989, 1996), университете Миннеаполиса (США). Автор и соавтор более 230 научных работ, включая 4 учебных пособия, 16 монографий, 32 изобретения, открытие (диплом №159). Заслуженный деятель науки и техники России; дважды лауреат Государственной премии СССР; награжден памятной медалью им. акад. Н.С. Курнакова (1985), медалями РАЕН им. П.Л. Капицы (1995), «За заслуги в деле возрождения науки и экономики России» им. Петра I (1996).

:
...