«И» «ИЛИ»  
 -  - 
© Публичная Библиотека
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!

Виктор Ильич Фистуль 100k

-

(01.05.1927 - 06.06.2011)

...советский и российский физик, специалист в области физики полупроводников. Доктор физико-математических наук (1967), профессор (1968), академик РАЕН (физика полупроводников; 23.12.1993), заслуженный деятель науки и техники России, почетный профессор Ханойского технического университета, Международный «Человек года» Кембридж 1997-1998. Дважды лауреат Государственной премии СССР (1975 год и 1987 год). Заведующий кафедрой технологии полупроводниковых материалов (ныне материалов микро-, опто-, и наноэлектроники), профессор Московского института тонкой химической технологии с 1977 г.
Родился в г. Ленинграде; окончил Ленинградский политехнический институт в 1949 г., 1949-1952 - на инженерных должностях завода «Уралэлетроаппарат»; 1952-1964 - старший научный сотрудник, заведующий лабораторией НИИ Министерства электронной промышленности; 1964-1977 - старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, заведующий отелом Института «Гиредмет»; в 1962-2002 работал в Московском институте тонкой химической технологии, где разработал учебные курсы: «Физика полупроводников», «Экспериментальные методы исследования полупроводников», «Физика и химия твердого тела». Заведующий кафедрой (1977), профессор. Специалист в области физики полупроводников. Подготовил 44 кандидата и 6 докторов наук. Обнаружил явление политропии примесей в полупроводниках (1961), установил основные закономерности встраивания d-электронов примесей переходных металлов в полупроводниках АIIIВV, предложил и разработал подход к описанию кинетики распада полупроводниковых твердых растворов, учитывающий зарядность выпадающих атомов примеси (1969-1971), выявил особенности состояния примесей переходных металлов в полупроводниках (1970-1973). Установил основные отличия распада полупроводниковых твердых растворов от металлических. Открыл неводородоподобность примесей водорода и др. одноэлектронных атомов в полупроводниках, разработал совместно с сотрудниками теорию поведения амфотерных примесей и примесей с d- и f в полупроводниках (1970, 1989). Соавтор открытия глубокого донорного состояния атомов водорода в германии и кремнии (№259, 1983). Исследовал новый класс примесей, изовалентных легируемому полупроводнику (1987), разработал метод лазерной имплантации примесей в полупроводники (1983-1986). Участвовал в разработке технологии и организации промышленного производства важнейшего полупроводникового материала - арсенида галлия (1975). Читал лекции в Технологическом институте г. Бургас (Болгария, 1989), в Техническом университете и институте материаловедения в г. Ханой (Вьетнам, 1989, 1996), университете Миннеаполиса (США). Автор и соавтор более 230 научных работ, включая 4 учебных пособия, 16 монографий, 32 изобретения, открытие (диплом №159). Заслуженный деятель науки и техники России; дважды лауреат Государственной премии СССР; награжден памятной медалью им. акад. Н.С. Курнакова (1985), медалями РАЕН им. П.Л. Капицы (1995), «За заслуги в деле возрождения науки и экономики России» им. Петра I (1996).
.
«виктор ильич фистуль» на страницах библиотеки упоминается 1 раз:
* Фистуль Виктор Ильич
.
.
  • Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. Том 1. [Djv- 5.6M] Учебник для вузов.
    (Москва: Издательство «Металлургия», 1995)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv: DNS, 2011
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (7).
      Введение (9).
      Глава 1. Некоторые сведения из химии, физики и физической химии (18).
      Глава 2. Электронная структура твердых тел (103).
      Глава 3. Динамика кристаллической решетки (181).
      Глава 4. Дефекты в твердых телах (239).
      Глава 5. Линейные и плоские дефекты в твердых телах (362).
      Глава 6. Объемные (макроскопические) дефекты в твердых телах (397).
      Приложения (432).
      Библиографический список (477).
Аннотация издательства: Учебник для студентов технических вузов, обучающихся по направлениям «Материаловедение и технология новых материалов», «Химическая технология материалов и изделий электронной техники» и «Физико-химические методы исследования процессов и материалов», рассчитан на подготовку как бакалавров и инженеров, так и магистров разных твердотельных специальностей. Может быть использован аспирантами, научными сотрудниками и инженерами, работающими в областях разработки и исследования свойств металлов и сплавов, полупроводников, керамических и композиционных материалов. С единых современных представлений рассмотрены кристаллическая и электронная структуры твердых тел с разной природой химической связи, динамика кристаллической решетки и дефекты в твердых телах. На основе этих представлений анализируются явления на поверхности, объемные превращения и реакционная способность твердых тел, свойства важнейших твердотельных материалов: магнетиков, сегнето- и пироэлектриков, полупроводников, сверхпроводников, композитов.
В первом томе учебника изложены кристаллографический и кристаллохимический аспекты структуры твердых тел, их электронная структура, ее изменения в кристалле с дефектами, макро- и микродинамика кристаллической решетки и общие свойства твердых тел, формируемые электронным спектром, фононами и дефектами кристаллов.
.
  • Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. Том 2. [Djv- 3.7M] Учебник для вузов.
    (Москва: Издательство «Металлургия», 1995)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv: DNS, 2011
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Глава 7. Явления на поверхности твердых тел (7).
      Глава 8. Объемные превращений твердых телах (51).
      Глава 9. Реакционная способность твердых тел (96).
      Глава 10. Твердые тела с металлическим характером химической связи (133).
      Глава 11. Керамические твердые тела (193).
      Глава 12. Физика и химия полупроводниковых материалов (215).
      Глава 13. Принципы построения композиционных материалов (284).
      Приложения (297).
      Библиографический список (300).
      Предметный указатель (303).
      Биографический указатель (318).
Аннотация издательства: Учебник для студентов технических вузов, обучающихся по направлениям «Материаловедение и технология новых материалов», «Химическая технология материалов и изделий электронной техники» и «Физико-химические методы исследования процессов и материалов», рассчитан на подготовку как бакалавров и инженеров, так и магистров разных твердотельных специальностей. Может быть использован аспирантами, научными сотрудниками и инженерами, работающими в областях разработки и исследования свойств металлов и сплавов, полупроводников, керамических и композиционных материалов.
С единых современных представлений рассмотрены кристаллическая и электронная структура твердых тел с разной природой химической связи, динамика кристаллической решетки и дефекты в твердых телах. На основе этих представлений анализируются явления на поверхности, объемные превращения и реакционная способность твердых тел, свойства важнейших твердотельных материалов: магнетиков, сегнето- и пироэлектриков, полупроводников, сверхпроводников, композитов.
Во втором томе учебника изложены физика и химия поверхностных явлений: смачивание и растекание, адсорбция, электронная эмиссия и поверхностная ионизация атомов; аллотропические и мартенситные превращения, распад твердых растворов; реакционная способность твердых тел; механические, электрические и магнитные свойства твердых тел, свойства керамических ферритов, сегнетоэлектриков и сверхпроводников; физика и химия полупроводников; принципы построения композиционных материалов.
.