ИЗ ИЗДАНИЯ: На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых приборов и приведена статистическая модель прибора, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации с учетом разброса параметров элементов силовых цепей.
Для научных работников и инженеров, занимающихся разработкой силовых полупроводниковых преобразователей электроэнергии.