 |
- ⒶⒸКучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. [Djv-Fax- 7.3M] [Pdf-Fax- 6.2M] Научное издание. Автор: Евгений Витольдович Кучис. Переплет: художник А.Я. Толмачев.
(Москва: Издательство «Радио и связь»: Редакция литературы по электронике, 1990)
Скан, обработка, формат Pdf-Fax: derevyaha, fire_varan, доработка, формат Pdf-Fax: звездочет, 2024
- ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
Описок основных условных обозначений (4).
Глава 1. Элементы теории гальваномагнитных эффектов (6).
1.1. Тензор электропроводности в скрещенных электрическом и магнитном полях (6).
1.2. Эффект Холла (9).
1.2.1. Режим ЭДС Холла (Ју = 0) (9).
1.2.2. Режим тока Холла (Еу = 0) (14).
1.2.3. Эффект Холла в образцах Ван дер Пау (16).
1.3. Магниторезистивные эффекты (19).
1.3.1. Физический магниторезистивный эффект - режим ЭДС Холла (Ју = 0) (19).
1.3.2. Геометрический магниторезистивный эффект - режим тока Холла (Еу = 0) (20).
1.4. Магнитоплазменные эффекты (22).
1.4.1. Геликонные волны (22).
1.4.2. Вихревые эффекты (24).
1.5. Гальваномагнитные эффекты в квантующих магнитных полях (25).
1.5.1. Эффект Холла (26).
1.5.2. Магниторезистивный эффект - эффект Шубникова - де Гааза (27).
1.5.3. Магнитофонный резонанс (27).
1.6. Гальваномагнитные эффекты в двухмерной системе в квантующих магнитных полях (28).
1.6.1. Квантовый эффект Холла и эффект Шубникова - де Гааза (31).
1.6.2. Магнитофонный резонанс (33).
1.7. Смешанная электропроводность (33).
1.7.1. Эффект Холла (33).
1.7.2. Магниторезистивный эффект (36).
1.7.3. Геликонные волны (38).
1.8. Акустический эффект Холла и акустомагнитоэлектрический эффект (38).
1.9. Эффект фото-Холла (41).
Глава 2. Гальваномагнитные эффекты в неоднородных материалах (43).
2.1. Общие замечания (43).
2.2. Классические размерные эффекты (44).
2.2.1. Размерный эффект по средней длине свободного пробега носителей (44).
2.2.2. Размерный эффект по дебаевской длине экранирования (45).
2.3. Направленные неоднородности проводимости (49).
2.3.1. Неоднородности проводимости в направлении оси х (49).
2.3.2. Неоднородности проводимости в направлении оси у (51).
2.3.3. Неоднородности проводимости в направлении оси z (52).
2.4. Статистические флуктуации проводимости (55).
2.5. Поликристаллические неоднородности (57).
2.5.1. Электрическая модель (58).
2.5.2. Барьерная модель (59).
2.5.3. Порошкообразные материалы - поликристаллиты со сферическими кристаллитами (68).
2.5.4. Магниторезистивный эффект (69).
2.5.5. Эффект Шубникова - де Гааза (70).
2.6. Двухфазные системы (71).
2.6.1. Представление теории эффективной среды (71).
2.6.2. Представление теории возмущения (74).
2.7. Проводимость по уровню протекания - перколяционная проводимость (76).
2.7.1. Крупномасштабные флуктуации потенциала (76).
2.7.2. Масштаб флуктуаций потенциала в легированных полупроводниках (79).
2.7.3. Включения противоположного типа проводимости (81).
2.7.4. Перколяционная проводимость поликристалличеоких полупроводников (83).
2.7.5. Дислокационные неоднородности (84).
Глава 3. Гальваномагнитные эффекты в неупорядоченных полупроводниках (86).
3.1. Неупорядоченные полупроводники (86).
3.2. Перенос по делокализованным состояниям (87).
3.3. Прыжковая проводимость (91).
3.4. Поляронный перенос (93).
3.5. Жидкое состояние вещества (95).
3.6. Сопоставление холловских подвижностей (96).
3.7. Магниторезистивный эффект (98).
Глава 4. Некоторые особенности интерпретации результатов измерений (100).
4.1. Общие замечания (100).
4.2. Температурные зависимости концентрации носителей заряда (101).
4.2.1. Формула Блекмора (101).
4.2.2. Метод Клотыньша - Барриса (106).
4.2.3. Дифференциальный метод Хофмана, спектроскопия примесных уровней (107).
4.3. Смешанная проводимость (109).
4.3.1. Собственная проводимость (110).
4.3.2. Полуизолирующие полупроводники (111).
4.3.3. Носители разных сортов одного типа (112).
4.3.4. Узкозонные и бесщелевые полупроводники (114).
4.4. Эффект Холла в ферромагнетиках (115).
4.5. Подвижность (116).
4.5.1. Механизмы рассеяния носителей заряда и температурная зависимость подвижности (117).
4.5.2. Концентрационная зависимость подвижности (121).
4.6. Квантующие магнитные поля (123).
4.7. Изотермический отжиг (125).
4.8. Слоистые структуры (126).
4.8.1. Адекватность смешанной проводимости и слоистой неоднородности (127).
4.8.2. Аномалии эффекта Холла (129).
4.8.3. Эпитаксиальные пленки (131).
4.8.4. Гетероструктуры (133).
4.8.5. Холл-фактор (136).
Глава 5. Мешающие явления (137).
5.1. ЭДС побочных эффектов (137).
5.2. Асимметрия зондов Холла (140).
5.3. Поверхностная рекомбинация (143).
5.4. Шумы (145).
5.4.1. Тепловой шум (145).
5.4.2. Генерационно-рекомбинационный шум (145).
5.4.3. 1/f-шум, контактные и токовые шумы (146).
5.4.4. Шумы и наводки в измерительных цепях (147).
5.5. Особенности измерительных цепей частотных методов (148).
Глава 6. Измерение профиля (151).
6.1. Общие замечания (151).
6.2. Послойное стравливание (152).
6.3. Методы управления толщиной проводящего слоя эффектом поля (153).
6.3.1. МДП-структуры для измерения ЭДС Холла (153).
6.3.2. МДП-структуры для измерения тока Холла (155).
6.3.3. Структуры с барьером Шотки (156).
6.3.4. Магниторезистивные методы (159).
6.4. Магнитосопротивление растекания (160).
Глава 7. Образцы и способы их включения (162).
7.1. Контакты к образцам (162).
7.1.1. Принципы изготовления омических контактов (162).
7.1.2. Проверка свойств контактов (164).
1.2. Геометрия образцов и контактов (167).
7.2.1. Стандартные прямоугольные образцы ЭДС Холла (167).
7.2.2. Образцы тока Холла (173).
7.2.3. Образцы Ван дер Пау (174).
7.2.4. Образцы магниторезистивного эффекта (177).
7.2.5. Образцы для сильных электрических полей (178).
7.2.6. Образцы для сильных квантующих магнитных полей (178).
7.3. Зондовые методы (181).
7.4. Подсоединение образцов и управление их температурой (183).
7.4.1. Держатели образца и электрический монтаж (183).
7.4.2. Криостаты (187).
7.4.3. Высокотемпературные держатели (188).
7.4.4. Термометрия (190).
7.5. Неоднородности магнитного паля (194).
Глава 8. Контактные методы измерения (195).
8.1. Усреднение результатов измерения эффекта Холла (195).
8.1.1. Общий принцип усреднения (195).
8.1.2. Усреднение по ГОСТ 16153-80 (196).
8.1.3. Усреднение по стандарту ANSI/ASTM F76-73 (197).
8.1.4. Усреднение по методу Веденеева (198).
8.2. Методы постоянного тока и постоянного магнитного поля (199).
8.2.1. Стандартные методы (199).
8.2.2. Нестандартные методы (201).
8.3. Одночастотные методы (203).
8.3.1. Метод переменного тока и постоянного магнитного поля (203).
8.3.2. Метод постоянного тока и переменного магнитного поля (205).
8.3.3. Метод переменного тока и переменного магнитного поля одной частоты (206).
8.4. Двухчастотные методы (207).
8.4.1. Стандартные методы (208).
8.4.2. Методы синхронизации частот (211).
8.4.3. Методы амплитудной модуляции (212).
8.5. Методы тока Холла (215).
8.6. Методы Ван дер Пау (218).
8.6.1. Режим ЭДС Холла (218).
8.6.2. Режим тока Холла (219).
8.7. Методы импульсного электрического поля (220).
8.8. Методы квантующих магнитных полей (221).
8.9. Методы эффекта фото-Холла (223).
8.10. Методы акустического эффекта Холла и акустомагнитоэлектрического эффекта (224).
8.11. Другие методы измерения эффекта Холла (225).
8.11.1. Индукционные методы - методы Корбино (225).
8.11.2. Метод Дофини - Музера (225).
8.11.3. Методы исследования эффекта Холла в жидкостях (226).
8.12. Магниторезистивные методы (227).
8.13. Автоматизация методов измерения (228).
8.13.1. Общие замечания (228).
8.13.2. Компьютерная система измерения гальваномагнитных эффектов (229).
Глава 9. Бесконтактные методы измерения (232).
9.1. Емкостные и индуктивные методы (232).
9.1.1. Емкостные методы (232).
9.1.2. Емкостно-индуктивные методы (233).
9.1.3. Индуктивные методы (234).
9.2. Метод Редфилда - Брауна (234).
9.3. СВЧ-методы (236).
9.3.1. Классификация СВЧ-методов (236).
9.3.2. Методы поворота плоскости поляризации электронной волны (236).
9.4. Магнитоплазменные методы 240.
9.4.1. Геликонные методы (240).
9.4.2. Вихревые методы (242).
Список литературы (244).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Излагаются вопросы теории гальвано-магнитных эффектов в режимах ЭДС и тока Холла, в то, м числе в квантующих магнитных полях и в материалах со смешанной проводимостью. Рассматриваются их особенности в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках, слоистых структурах. Дается методология интерпретации нормальных и аномальных результатов измерений. Приводятся требования, предъявляемые к исследуемым образцам, анализируются мешающие явления. Рассматриваются способы измерения профиля подвижности и концентрации носителей, а также контактные и бесконтактные методы измерения гальвамомагнитных эффектов.
Для научных работников, занимающихся исследованием полупроводников и разработкой полупроводниковых приборов. |
 |
