 |
- ⒶⒸЛодиз Р... Рост монокристаллов. [Djv-Fax-15.0M] [Pdf-Fax-11.6M] Автор: Роберт Альфред Лодиз, Р. Паркер (Robert Alfred Laudise, R.L. Parker). Перевод с английского под редакцией А.А. Чернова, А.Н. Лобачева. Художник: Г.А. Щетинин.
(Москва: Издательство «Мир»: Редакция литературы по физике, 1974)
Скан, обработка, формат Pdf-Fax: AAW, fire_varan, доработка, формат Pdf-Fax: звездочет, 2024
- СОДЕРЖАНИЕ:
Предисловие редакторов перевода (5).
Р. Лодиз. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ (R.A. Laudise. The growth of single crystals, 1970).
Предисловие автора к русскому изданию (10).
Из предисловия автора к английскому изданию (11).
1. Монокристаллы (13).
1.1. Что такое кристалл (13).
1.2. Экспериментальные методы выявления кристалличности (20).
1.3. Несовершенства в кристаллах (24).
1.4. Методы изучения совершенства кристаллов (35).
1.5. Почему нас интересуют кристаллы? (49).
2. Равновесие при росте кристаллов (52).
2.1. Классификация процессов роста (52).
2.2. Равновесие и рост кристаллов (55).
2.3. Равновесие между твердыми фазами в однокомпонентных системах (55).
2.4. Равновесие между твердой фазой и жидкостью в однокомпонентной системе (60).
2.5. Коэффициент распределения (62).
2.6. Диаграммы состояния и правило фаз (68).
2.7. Консервативные процессы (71).
2.8. Неконсервативные процессы (76).
2.9. Равновесие между газом и твердой фазой в однокомпонентных системах (81).
2.10. Рост из раствора (82).
2.11. Рост посредством химического взаимодействия (89).
2.12. Рост метастабильных фаз (92).
3. Кинетика роста кристаллов (94).
3.1. Лимитирующая стадия процесса (94).
3.2. Диффузия (94).
3.3. Поверхности кристаллов (96).
3.4. Процессы при выращивании кристалла из раствора (104).
3.5. Процессы роста при отклонении от различных условий равновесия (108).
3.6. Рост кристалла как последовательная реакция (112).
3.7. Последовательность реакций на межфазной границе (114).
3.8. Движение ступеней (119).
3.9. Образование зародышей (122).
3.10. Влияние скорости роста на константу распределения (124).
3.11. Концентрационное переохлаждение (126).
3.12. Образование фасеток (128).
3.13. Образование ячеистой структуры (130).
3.14. Корреляции с энтропией (131).
4. Рост кристаллов в процессе твердофазного превращения (133).
4.1. Методы твердофазного выращивания кристаллов (133).
4.2. Рекристаллизация в процессе деформационного отжига (134).
4.3. Выращивание кристаллов посредством спекания (161).
4.4. Рост кристаллов при полиморфных превращениях (163).
4.5. Расстекловывание (172).
4.6. Рост при многокомпонентных твердофазных реакциях (173).
5. Рост кристаллов из расплава в однокомпонентной системе (174).
5.1. Введение (174).
5.2. Неконтролируемая кристаллизация (175).
5.3. Метод Бриджмена - Стокбаргера и другие аналогичные методы (176).
5.4. Метод Чохральского и аналогичные методы (189).
5.5. Методы зонной плавки (219).
5.6. Другие бестигельные методы (227).
5.7. Другие методы выращивания из расплава (237).
5.8. Выращивание дендритов (238).
6. Рост кристаллов из паров (240).
6.1. Введение (240).
6.2. Сублимация - конденсация (241).
6.3. Распыление (245).
6.4. Выращивание кристаллов путем обратимых реакций (248).
6.5. Рост кристаллов за счет необратимых реакций (266).
7. Рост кристаллов из жидких растворов (271).
7.1. Введение (271).
7.2. Выращивание из водных растворов (273).
7.3. Выращивание в гидротермальных условиях (392).
7.4. Выращивание кристаллов из растворов в расплавах солей (311).
7.5. Рост кристаллов из растворов в расплавленных металлах (331).
7.6. Зонная плавка с градиентом температуры (334).
7.7. Комбинированные методы выращивания по механизму пар - жидкость - кристалл (336).
Литература (340).
Р. Паркер. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ (R.L. Parker. Crystal growth mechanisms: energetics, kinetics and transport, 1970).
Предисловие автора к русскому изданию (360).
Введение (361).
Общие замечания (361).
Непрерывные и скачкообразные превращения (362).
Процессы переноса; морфологическая устойчивость (363).
Плоские грани (364).
Морфология кристаллов (364).
I. Термодинамика фазовых превращений: феноменологический подход (366).
1. Введение (366).
2. Термодинамика равновесия объемов фаз (366).
3. Термодинамика поверхностей раздела фаз (369).
4. Термодинамика неравновесных процессов (370).
II. Статистическая механика роста кристаллов: теоретико-физический анализ проблемы (372).
5. Статистическая механика равновесного состояния (372).
6. Применение методов статистической механики равновесного состояния к фазовым превращениям (373).
7. Статистическая механика неравновесных процессов (381).
III. Задача Стефана: математико-физический анализ процессов переноса, сопровождающих рост кристалла (382).
8. Введение (382).
9. Задача Стефана в чистом виде; различные формы роста (384).
10. Усложненная задача Стефана; различные формы (397).
11. Некоторые приближенные решения задачи Стефана (409).
12. Некоторые вопросы, связанные с задачей Стефана (411).
IV. Образование зародышей (413).
13. Введение (413).
14. Классическая теория образования зародышей (413).
15. Некоторые современные разработки в теории зарождения (420).
V. Структура поверхностей раздела и поверхностная кинетика (425).
16. Равновесные структуры поверхностей раздела (425).
17. Поверхностная кинетика при росте кристаллов из паровой фазы. Теоретические и экспериментальные результаты (444).
18. Поверхностная кинетика при росте из растворов (459).
19. Поверхностная кинетика при росте из расплава (466).
20. Кинематическая теория роста кристаллов (471).
VI. Морфологическая устойчивость (475).
21. Введение (475).
22. Задача о морфологической устойчивости в чистом виде: различные формы роста (476).
23. Исследование устойчивости с учетом дополнительных факторов (483).
24. Экспериментальные исследования морфологической устойчивости (491).
VII. Влияние примесей на механизмы роста кристаллов (496).
25. Введение (496).
26. Рост бинарных цепей (497).
27. Отравление изломов в процессе слоисто-спирального роста (499).
28. Рост кристаллов сахарозы из раствора, торможение ступеней (502).
29. Торможение ступеней (продолжение) (504).
30. Кинематические волны и роль примесей при растворении; образование ямок травления (506).
31. Макроскопические частицы в качестве примесей (508).
VIII. Гидродинамические эффекты (610).
32. Введение (510).
33. Обтекание плоской пластины (511).
34. Вращающийся диск и установка Чохральского (516).
35. Обтекание шара (520).
36. Естественная тепловая конвекция и рост кристаллов в горизонтальной лодочке (522).
37. Потоки жидкости, возникающие из-за различия плотностей кристалла и расплава (525).
Литература (526).
ИЗ ИЗДАНИЯ: В книге рассматриваются основы теории роста кристаллов и важнейшие методы выращивания монокристаллов, применяемых в науке и технике, в частности в полупроводниковой электронике и лазерной технике.
Книга рассчитана на специалистов по выращиванию кристаллов, а также на студентов старших курсов и аспирантов физических, физико-технических, химических и геологических специальностей. |
 |
