«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Аншелес Осип Макарович (кристаллограф)

Осип Макарович Аншелес 64k

-

(1885 - 1957)

  ◄  СМЕНИТЬ  ►  |▼ О СТРАНИЦЕ ▼
▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼|  ◄  СМЕНИТЬ  ►  
Википедия: Осип (Иосиф) Маркович Аншелес (1885-1957) - российский и советский кристаллограф, профессор. Брат ученого-инфекциониста, профессора И.М. Аншелеса.
Родился в еврейской семье профессора-эпидемиолога И.Х. Аншелеса, выпускника Киевского университета Святого Владимира. В 1909-1913 обучался на кафедре минералогии естественного отделения физико-математического факультета университета, в 1913-1918 оставался при кафедре для подготовки к профессорскому званию. Также прослушал лекции Е.С. Федорова в Горном институте, а с 1915 до 1925 преподавал там же по совместительству. В 1918-1926 преподаватель и исполняющий обязанности профессора Географического института, в 1926-1957 являлся профессором и заведующим кафедрой кристаллографии. Одновременно в 1924-1932 по совместительству работал в Геолкоме-ЦНИГРИ. Находясь в блокадном Ленинграде, и затем в эвакуации, обеспечил совместно с В.Б. Татарским и А.А. Штернбергом выполнение оборонного заказа по выращиванию кристаллов сегнетовой соли на основе разработанного ими скоростного метода.
:
derevyaha, fire_varan, звездочет...




  • Аншелес О.М... Скоростное выращивание однородных кристаллов из растворов. Кристаллизация сегнетовой соли. [Pdf-Fax- 2.0M] Авторы: Осип Маркович Аншелес, Виталий Борисович Татарский, Алексей Александрович Штернберг. Редактор: Осип Маркович Аншелес.
    (Ленинградское газетно-журнальное и книжное издательство, 1945)
    Скан: derevyaha, OCR, обработка, формат Pdf-Fax: fire_varan, доработка, формат Pdf-Fax: звездочет, 2024
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Глава I. К теории скоростного выращивания однородных кристаллов.
      1. Факторы, влияющие на скорость роста кристаллов (7).
      2. Механизм роста кристаллов (10).
      3. Образование включений маточного раствора в кристаллах (13).
      4. Возникновение паразитических центров кристаллизации (21).
      Глава II. Скоростное выращивание кристаллов по методу А.А. Штернберга.
      5. Аппаратура (23).
      6. Результаты опытов (26).
      7. Производственное выращивание кристаллов (28).
      Глава III. Скоростное выращивание кристаллов методом эксцентричного вращения (В.Б. Татарского).
      8. Особенности метода эксцентричного вращения (32).
      9. Прибор для кристаллизации (35).
      10. Нормальная форма кристаллов (40).
      11. Растворимость сегнетовой соли и формулы для расчетов (42).
      12. Приготовление раствора. Определение температуры насыщения (49).
      13. Приготовление и монтировка зародыша. Пуск кристаллизатора. Извлечение готового кристалла (53).
      14. Определение размеров растущего кристалла (58).
      15. Предел скорости нарастания. Целесообразность применения больших кристаллизаторов (61).
      16. Температурный режим роста (64).
      17. Двойной кристаллоносец (71).
      18. Возможные источники «паразитов» и меры борьбы с ними (75).
      19. Разработка скоростных методов кристаллизации других веществ (79).
      Упоминаемая литература (82).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Проблема скоростного выращивания больших количеств монокристаллов сегнетовой соли имеет сейчас большое значение в связи со все более и более расширяющимся ее применением в аппаратуре связи. Разработанное в институте НКЭП покрытие для сегнетовых пьезоэлементов, полностью предохраняющее их от вредного воздействия влажности, позволяет чрезвычайно расширить применение пьезоэлементов в полевой аппаратуре связи, а также обеспечивает их использование в бытовых акустических приборах. В связи с этим неизбежно в недалеком будущем многократное увеличение производства кристаллов сегнетовой соли.