. |
Яков Андреевич Федотов
|
. |
. | «яков андреевич федотов» на страницах библиотеки упоминается 4 раза: | . |
. | . |
. |
Сочинения: * Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. (1969) * Федотов Я.А. Полупроводниковая электроника, год 2001-й. (1975) * Федотов Я.А. Транзисторы. (1960) |
. |
![]() |
Аннотация издательства: Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные соотношения даются в минимальном объеме, необходимом для изложения основного материала книги. Описаны основные типы диодов: силовые, импульсные, туннельные, лавинно-пролетные и другие. Рассматриваются также принципы действия, физические процессы и параметры биполярных и униполярных транзисторов в диапазоне низких и высоких частот, тиристоров, лавинных транзисторов, фотодиодов и фототранзисторов, датчиков Холла и др. Кратко излагаются основные сведения о технологии и конструкции полупроводниковых приборов. Значительное место отводится рассмотрению процессов на поверхности, вопросам стабильности и надежности полупроводниковых приборов. Материал излагается так, чтобы сделать книгу доступной и полезной максимально широкому кругу читателей, в том числе студентам вузов и техникумов, инженерам, разрабатывающим, исследующим и применяющим полупроводниковые приборы. |
. |
![]() |
Аннотация издательства: Рассмотрены физические и технические проблемы и направления полупроводниковой электроники. Оцениваются перспективы использования различных физических эффектов (барьера Шоттки, доменной неустойчивости и т.д.) для создания полупроводниковых дискретных и интегральных приборов. В заключение кратко изложены общие пути развития электроники к 2001-му году и показано, что принесет она в наш быт. Брошюра рассчитана на широкий круг читателей, знакомых с основами радиотехники, и полупроводниковой электроники. |
. |
![]() |
Аннотация издательства: Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и связанных с ними свойств транзисторов. Кратко рассматриваются вопросы электропроводности полупроводников, технология производства полупроводниковых материалов - германия и кремния - и измерение основных параметров материала, определяющих его использование для изготовления полупроводниковых приборов. Подробно излагаются контактные явления в полупроводниках, принципы работы радиотехнических полупроводниковых приборов (главным образом, транзисторов) и связь основных параметров прибора с физическими величинами, определяющими электронные процессы в приборе. Рассматриваются эквивалентные схемы транзисторов на низких и высоких частотах, оценивается частотная зависимость параметров транзисторов, описываются методы измерения параметров на низких и высоких частотах. Дается описание технологии изготовления транзисторов различных типов, приводятся параметры приборов, выпускаемых в Советском Союзе и за рубежом. Монография рассчитана на студентов старших курсов радиотехнических факультетов высших учебных заведений и на инженеров, работающих в области разработки схем с использованием транзисторов. |
. |