Яков Андреевич Федотов
|
* «Будущее науки» (международный ежегодник)
* «Массовая радиобиблиотека». Выпуски 0200-0299
* «Научно-популярная библиотека школьника» (серия)
* «Новое в жизни, науке, технике: Радиоэлектроника и связь» (серия изд. «Знание»)
* «Советско-венгерская библиотека по радиоэлектронике» (серия)
* Федотов Яков Андреевич
* «Массовая радиобиблиотека». Выпуски 0200-0299
* «Научно-популярная библиотека школьника» (серия)
* «Новое в жизни, науке, технике: Радиоэлектроника и связь» (серия изд. «Знание»)
* «Советско-венгерская библиотека по радиоэлектронике» (серия)
* Федотов Яков Андреевич
ИЗ ИЗДАНИЯ: Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные соотношения даются в минимальном объеме, необходимом для изложения основного материала книги. Описаны основные типы диодов: силовые, импульсные, туннельные, лавинно-пролетные и другие. Рассматриваются также принципы действия, физические процессы и параметры биполярных и униполярных транзисторов в диапазоне низких и высоких частот, тиристоров, лавинных транзисторов, фотодиодов и фототранзисторов, датчиков Холла и др. Кратко излагаются основные сведения о технологии и конструкции полупроводниковых приборов. Значительное место отводится рассмотрению процессов на поверхности, вопросам стабильности и надежности полупроводниковых приборов. Материал излагается так, чтобы сделать книгу доступной и полезной максимально широкому кругу читателей, в том числе студентам вузов и техникумов, инженерам, разрабатывающим, исследующим и применяющим полупроводниковые приборы. |
ИЗ ИЗДАНИЯ: Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и связанных с ними свойств транзисторов. Кратко рассматриваются вопросы электропроводности полупроводников, технология производства полупроводниковых материалов - германия и кремния - и измерение основных параметров материала, определяющих его использование для изготовления полупроводниковых приборов. Подробно излагаются контактные явления в полупроводниках, принципы работы радиотехнических полупроводниковых приборов (главным образом, транзисторов) и связь основных параметров прибора с физическими величинами, определяющими электронные процессы в приборе. Рассматриваются эквивалентные схемы транзисторов на низких и высоких частотах, оценивается частотная зависимость параметров транзисторов, описываются методы измерения параметров на низких и высоких частотах. Дается описание технологии изготовления транзисторов различных типов, приводятся параметры приборов, выпускаемых в Советском Союзе и за рубежом. Монография рассчитана на студентов старших курсов радиотехнических факультетов высших учебных заведений и на инженеров, работающих в области разработки схем с использованием транзисторов. |