••
 ◄►
•Публичная Библиотека•
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг, авторов произведений и переводов
.

Яков Андреевич Федотов 177k

-

()

...доктор технических наук, профессор, заслуженный деятель науки РФ, лауреат Ленинской премии СССР за комплекс фундаментальных работ по созданию технологии полупроводниковых приборов, обеспечивающих их массовое производство.
Участник Великой Отечественной войны, в составе Третьего Белорусского фронта прошел боевой путь от Смоленска до Кенигсберга. Генерал-майор в отставке, награжден 35 орденами и медалями.
Стаж работы в области полупроводниковой и интегральной электроники более 50 лет.
Интерес к полупроводниковой технике Яков Андреевич проявил, будучи слушателем Военно-воздушной академии им. Н.Е. Жуковского, которую закончил в 1954 году. Выпускная работа Я.А. Федотова была посвящена применению первых отечественных транзисторов в радиоприемниках.
В 1954 году был откомандирован в ЦНИИРТИ, где занимался исследованием транзисторов, методами температурной стабилизации транзисторных усилителей и вопросами их надежности.
В 1956 году подготовил под своей редакцией первый сборник статей «Полупроводниковые приборы и их применение», который стал периодическим изданием, широко известным и у нас в стране, и за рубежом. Всего было выпущено 28 томов сборника.
В период с 1959 по 1965 годы работал в Центральном аппарате Министерства электронной промышленности. Был одним из основателей полупроводниковой отрасли в стране. Непосредственно участвовал в создании новых заводов, КБ и НИИ, обеспечивших решение как оборонных, так и народнохозяйственных задач.
В исследовательской деятельности основное внимание уделял вопросам надежности во всех ее аспектах (физика процессов, технология, чистота сред и т.п.).
В 1963 году издана монография Я.А. Федотова «Основы физики полупроводниковых приборов», ставшая учебным пособием для многих поколений студентов, инженеров, аспирантов.
С 1965 по 1982 годы Я.А. Федотов - заместитель директора по научной работе НИИ «Пульсар». За этот период руководил и участвовал в выполнении более 500 исследовательских работ и внедрении в серийное производство более 200 приборов. Огромный вклад внес в международное сотрудничество в области электроники.
Опубликованные в последнее время работы Я.А. Федотова посвящены необходимости реформирования структуры электронной промышленности.
Более сорока лет Яков Андреевич Федотов занимался педагогической деятельностью. С 1959 года преподавал в Московском энергетическом институте и Московском институте стали и сплавов. С 1982 года - заведующий кафедрой интегральной электроники МИРЭА. Разработал огромное число методических и учебных пособий. До последних дней не оставлял работу по подготовке студентов и молодых специалистов.
На всех этапах жизни Яков Андреевич являл собой образец трудолюбия, преданности научной идее, высокой ответственности.
А.Я. Федотов - автор более 300 научных трудов в области полупроводниковой электроники, почетный радист, почетный работник электронной промышленности, отличник печати.
 .
. «яков андреевич федотов» на страницах библиотеки упоминается 4 раза: .
. .
.
Сочинения:
* Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. (1969)
* Федотов Я.А. Полупроводниковая электроника, год 2001-й. (1975)
* Федотов Я.А. Транзисторы. (1960)
 .
▼
▲
  • Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. [Djv- 9.6M] Издание 2-е, исправленное и дополненное. Автор: Яков Андреевич Федотов.
    (Москва: Издательство «Советское радио», 1969)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv: pohorsky, 2012
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      От автора (3).
      Введение (6).
      I. Электрофизические свойства полупроводников (13).
      II. Контактные явления в полупроводниках (70).
      III. Электронно-дырочный переход (100).
      IV. Силовые, опорные и импульсные диоды (138).
      V. Диоды сверхвысоких частот (173).
      VI. Биполярный транзистор, основные физические процессы (236).
      VII. Параметры и характеристики биполярного транзистора на низких частотах (286).
      VIII. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты (331).
      IX. Дрейфовые транзисторы (379).
      X. Униполярные транзисторы (415).
      XI. Тиристоры и некоторые другие ключевые приборы (434).
      XII. Фотоэлектрические, термоэлектрические и другие полупроводниковые приборы (462).
      XIII. Технология и конструкция полупроводниковых приборов (483).
      XIV. Надежность и стабильность полупроводниковых приборов (511).
      XV. Современное состояние полупроводниковой электроники и основные пути ее развития (555).
      Приложения (577).
      Литература (581).
      Предметный указатель (583).
Аннотация издательства: Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов.
Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные соотношения даются в минимальном объеме, необходимом для изложения основного материала книги. Описаны основные типы диодов: силовые, импульсные, туннельные, лавинно-пролетные и другие. Рассматриваются также принципы действия, физические процессы и параметры биполярных и униполярных транзисторов в диапазоне низких и высоких частот, тиристоров, лавинных транзисторов, фотодиодов и фототранзисторов, датчиков Холла и др. Кратко излагаются основные сведения о технологии и конструкции полупроводниковых приборов. Значительное место отводится рассмотрению процессов на поверхности, вопросам стабильности и надежности полупроводниковых приборов.
Материал излагается так, чтобы сделать книгу доступной и полезной максимально широкому кругу читателей, в том числе студентам вузов и техникумов, инженерам, разрабатывающим, исследующим и применяющим полупроводниковые приборы.
 .
▼
▲
  • Федотов Я.А. Полупроводниковая электроника, год 2001-й. [Djv- 3.0M] Автор: Яков Андреевич Федотов.
    (Москва: Издательство «Советское радио»: Редакция литературы по электронной технике, 1975. - Серия «Советско-венгерская библиотека по радиоэлектронике»)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv: pohorsky, 2012
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      От издательства (3).
      От автора (4).
      «Частота - мощность» (9).
      Фазированные антенные решетки (15).
      Бескорпусные приборы и элементы (20).
      Барьер Шоттки и его применение (25).
      Два вида колебаний в лавинно-пролетных диодах (30).
      Доменная неустойчивость (36).
      Взаимодействие электрона и волны (43).
      Акустоэлектроника (49).
      Оптоэлектроника (54).
      Жидкие кристаллы (59).
      Приборы с зарядовой связью (ПЗС) (64).
      Матричные фотомишени (73).
      Твердотельные преобразователи изображения (79).
      Гетеропереходы и сверхрешетки (84).
      Технические средства полупроводниковой электроники (90).
      Год 2001-й (95).
Аннотация издательства: Рассмотрены физические и технические проблемы и направления полупроводниковой электроники. Оцениваются перспективы использования различных физических эффектов (барьера Шоттки, доменной неустойчивости и т.д.) для создания полупроводниковых дискретных и интегральных приборов.
В заключение кратко изложены общие пути развития электроники к 2001-му году и показано, что принесет она в наш быт.
Брошюра рассчитана на широкий круг читателей, знакомых с основами радиотехники, и полупроводниковой электроники.
 .
▼
▲
  • Федотов Я.А... Транзисторы. [Djv-11.2M] Авторы: Яков Андреевич Федотов, Юрий Васильевич Шмарцев. Обложка художника В.В. Волкова.
    (Москва: Издательство «Советское радио», 1960)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv: pohorsky, 2012
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Глава первая. Области применения и перспективы развития полупроводниковых приборов (5).
      Глава вторая. Электропроводность полупроводников (19).
      Глава третья. Основы зонной теории полупроводников (48).
      Глава четвертая. Контактные явления в полупроводниках (90).
      Глава пятая. Электронно-дырочный переход (117).
      Глава шестая. Плоскостной и точечный полупроводниковые триоды (140).
      Глава седьмая. Основные особенности работы транзисторов в схемах (184).
      Глава восьмая. Эквивалентные схемы и параметры транзисторов на низких частотах. Методы измерения параметров (226).
      Глава девятая. Зависимость параметров плоскостного триода от частоты (262).
      Глава десятая. Работа плоскостного транзистора на высоких частотах (283).
      Глава одиннадцатая. Методы повышения рабочих частот. Высокочастотные транзисторы (314).
      Глава двенадцатая. Некоторые специальные типы транзисторов (335).
      Глава тринадцатая. Технология полупроводниковых материалов и полупроводниковых приборов (352).
      Глава четырнадцатая. Технические данные и характеристики некоторых зарубежных и отечественных транзисторов (389).
      Заключение (427).
Аннотация издательства: Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и связанных с ними свойств транзисторов.
Кратко рассматриваются вопросы электропроводности полупроводников, технология производства полупроводниковых материалов - германия и кремния - и измерение основных параметров материала, определяющих его использование для изготовления полупроводниковых приборов.
Подробно излагаются контактные явления в полупроводниках, принципы работы радиотехнических полупроводниковых приборов (главным образом, транзисторов) и связь основных параметров прибора с физическими величинами, определяющими электронные процессы в приборе.
Рассматриваются эквивалентные схемы транзисторов на низких и высоких частотах, оценивается частотная зависимость параметров транзисторов, описываются методы измерения параметров на низких и высоких частотах.
Дается описание технологии изготовления транзисторов различных типов, приводятся параметры приборов, выпускаемых в Советском Союзе и за рубежом.
Монография рассчитана на студентов старших курсов радиотехнических факультетов высших учебных заведений и на инженеров, работающих в области разработки схем с использованием транзисторов.
 .