«И» «ИЛИ»
•© Публичная Библиотека•
◄►  -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Горюнов Николай Николаевич (электроника)

Николай Николаевич Горюнов 221k

-

(31.01.1931 - 25.07.2002)

  ◄  СМЕНИТЬ  ►  |▼ О СТРАНИЦЕ ▼
▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼|  ◄  СМЕНИТЬ  ►  
Циклопедия: Николай Николаевич Горюнов (31 января 1931, Москва - 25 июля 2002) - советский и российский ученый, инженер и педагог, кандидат физико-математических наук.
В 1958 г. окончил аспирантуру на Физическом факультете МГУ им. М.В. Ломоносова и защитил кандидатскую диссертацию в области радиационной физики полупроводников.
Вся его последующая жизнь была посвящена научной и педагогической деятельности в области полупроводниковой электроники.
С 1961 г. работал в ЦБП НПП, затем ЦНИИ «Циклон» в качестве главного инженера, начальника отдела.
С 1976 г. работал в НИИ «Радиосвязи» в должности начальника сектора.
С 1978 г. работал на Кафедре полупроводниковой электроники и физики полупроводников МИСиС в должности профессора кафедры.
Научная деятельность:
В шестидесятые годы двадцатого века Николай Николаевич принимал активное участие в создании Центрального бюро применения полупроводниковых приборов (ЦБП НПП), где работал в должности главного инженера. При его участии ЦБП НПП был реорганизован в Центральный научно-исследовательский институт применения электронных изделий - головной НИИ в Министерстве электронной промышленности СССР (ЦНИИ «Циклон»).
Под руководством и при непосредственном участии Николая Николаевича выполнен обширный комплекс исследований физических свойств полупроводников, определены и изучены главные факторы деградации полупроводниковых структур, теоретически обоснованы и экспериментально подтверждены зависимости показателей долговечности и сохраняемости полупроводниковых приборов от уровней дестабилизирующих воздействий, построены физико-математические модели надежности основных классов полупроводниковых приборов. Николай Николаевич внес значительный вклад в решение проблемы обеспечения длительной работоспособности изделий электронной техники в составе аппаратуры наземных комплексов и космических аппаратов, организовав разработку и выпуск первых соответствующих нормативных документов. Он участвовал в организации работ по обеспечению длительных сроков функционирования аппаратуры спутников связи.
Николаем Николаевичем было создано целое направление в области неразрушающего контроля электронных изделий. Совместно со своими сотрудниками и учениками он разработал комплекс методов диагностики, основанных на регистрации фотоответного, рекомбинационного, электролюминесцентного и теплового излучений.
Под его руководством впервые была разработана и внедрена в производство радиационная отбраковка потенциально ненадежных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Главной проблемой в отечественных научных исследованиях всегда было отсутствие их аппаратного обеспечения. Н.Н. Горюнов не только разрабатывал теоретические основы методов диагностики, но и создавал аппаратуру для их практической реализации. Под руководством Николая Николаевича в ЦНИИ «Циклон» была впервые осуществлена попытка автоматизации контроля качества электронных изделий путем компьютерной обработки изображений.
Под его редакцией вышло несколько изданий справочников по полупроводниковым приборам и интегральным схемам - настольных книг инженеров электронной техники и разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.
Сфера интересов Николая Николаевича простиралась далеко за пределы проблематики ЦНИИ «Циклон» и включала в себя такие разные области знания как физика космических лучей, биофизические процессы в организме человека, новые способы создания полупроводниковых приборов и интегральных схем, оригинальные методы и устройства для решения актуальных проблем материаловедения, основанные на спектроскопии различных видов электромагнитных излучений.
Н.Н. Горюнов был инициатором введения в МИСиС новых курсов по микроэлектронике, таких как «Интегральная микросхемотехника» и «Надежность и контроль качества полупроводниковых приборов и ИС». Он участвовал в модернизации практикумов по курсам «Основы радиационной технологии полупроводниковых приборов и ИС», «Физика полупроводников» и «Физика импульсного отжига полупроводниковых приборных структур».
:
Вадим Ершов...
Pirat, PGP-vimpel.63...
СПИСОК НЕКОТОРЫХ ОЦИФРОВАННЫХ ИЗДАНИЙ:
...



  • ⒶⒸГорюнов Н.Н. (ред.) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. [Djv-14.5M] [Pdf-15.2M] Справочник. Издание 4-е, переработанное и дополненное. Авторы: Николай Николаевич Горюнов, Аркадий Юрьевич Клейман, Николай Никитович Комков, Янина Алексеевна Толкачева, Николай Федорович Терехин. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. Переплет художника А.А. Иванова.
    (Москва: Издательство «Энергия», 1977)
    Скан, обработка, формат Djv: PGP-vimpel.63, 2018
    • КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
      Предисловие (13).
      ЧАСТЬ ПЕРВАЯ. КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
      Раздел первый. Классификация и система обозначений полупроводниковых приборов (14).
      Раздел второй. Классификация и система обозначений интегральных микросхем (23).
      ЧАСТЬ ВТОРАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
      Раздел третий. Диоды, столбы и блоки выпрямительные (35).
      Раздел четвертый. Диоды высокочастотные (71).
      Раздел пятый. Диоды импульсные (86).
      Раздел шестой. Диодные матрицы и сборки (115).
      Раздел седьмой. Стабилитроны (139).
      Раздел восьмой. Варикапы (172).
      Раздел девятый. Диоды туннельные и обращенные (187).
      Раздел десятый. Светодиоды (201).
      Раздел одиннадцатый. Тиристоры (215).
      Раздел двенадцатый. Диоды СВЧ (228).
      ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
      Раздел тринадцатый. Транзисторы малой мощности низкочастотные (236).
      Раздел четырнадцатый. Транзисторы малой мощности среднечастотные (256).
      Раздел пятнадцатый. Транзисторы малой мощности высокочастотные (260).
      Раздел шестнадцатый. Транзисторы малой мощности сверхвысокочастотные (304).
      Раздел семнадцатый. Транзисторы средней мощности низкочастотные и среднечастотные (327).
      Раздел восемнадцатый. Транзисторы средней мощности высокочастотные и сверхвысокочастотные (338).
      Раздел девятнадцатый. Транзисторы большой мощности низкочастотные (363).
      Раздел двадцатый. Транзисторы большой мощности среднечастотные (374).
      Раздел двадцать первый. Транзисторы большой мощности высокочастотные и сверхвысокочастотные (387).
      Раздел двадцать второй. Транзисторы полевые (401).
      ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
      Раздел двадцать третий. Полупроводниковые логические микросхемы (424).
      Раздел двадцать четвертый. Полупроводниковые линейно-импульсные микросхемы (581).
      Раздел двадцать пятый. Гибридные логические микросхемы (624).
      Раздел двадцать шестой. Гибридные линейно-импульсные микросхемы (682).
      Приложение (736).
      Алфавитно-цифровой указатель приборов, помещенных в справочнике (742).
ИЗ ИЗДАНИЯ: В справочнике приводятся электрические параметры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров и интегральных схем широкого применения.
Справочник предназначен для широкого круга специалистов по радиотехнике и электронике, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах.
  • ⒶⒸГорюнов Н.Н. (ред.) Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. [Djv- 8.4M] [Pdf- 9.0M] Справочник. Авторы: Альберт Валентинович Баюков, Александр Борисович Гитцевич, Анатолий Александрович Зайцев, Вячеслав Владимирович Мокряков, Владимир Матвеевич Петухов, Аркадий Квинтилианович Хрулев. Общая редакция: Николай Николаевич Горюнов.
    (Москва: Энергоатомиздат, 1983)
    Скан, обработка, формат Djv: Pirat, 2003
    • КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
      Предисловие (12).
      ЧАСТЬ ПЕРВАЯ. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ, ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
      Раздел первый. Классификация диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов (13).
      Раздел второй. Особенности использования полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (31).
      ЧАСТЬ ВТОРАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
      Раздел третий Диоды выпрямительные (36).
      Раздел четвертый. Выпрямительные столбы и блоки (126).
      Раздел пятый. Диоды универсальные и импульсные (163).
      Раздел шестой. Диодные сборки и матрицы (224).
      Раздел седьмой. Варикапы (281).
      Раздел восьмой. Диоды туннельные и обращенные (314).
      Раздел девятый. Генераторы шума (356).
      Раздел десятый. Диоды сверхвысокочастотные (359).
      Раздел одиннадцатый. Стабилитроны и стабисторы (499).
      ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
      Раздел двенадцатый. Тиристоры (596).
      ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
      Раздел тринадцатый. Излучающие диоды ИК диапазона (662).
      Раздел четырнадцатый. Светоизлучающие диоды. Знаковые индикаторы (678).
      Раздел пятнадцатый. Оптопары. Оптоэлектронные ключи (711).
      Дополнения (745).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, тиристоров, светодиодов и оптронов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, измерительной и вычислительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
  • ⒶⒸГорюнов Н.Н. (ред.) Полупроводниковые приборы: Транзисторы. [Djv- 9.8M] [Pdf-10.5M] Справочник. Авторы: Вадим Львович Аронов, Альберт Валентинович Баюков, Анатолий Александрович Зайцев, Юрий Аронович Йаменецкий, Альберт Израилевич Миркин, Вячеслав Владимирович Мокряков, Владимир Матвеевич Петухов, Аркадий Квинтилианович Хрулев, Аркадий Петрович Шибанов. Общая редакция: Николай Николаевич Горюнов.
    (Москва: Энергоиздат, 1982)
    Скан, обработка, формат Djv: Pirat, 2003
    • КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
      Предисловие (11).
      ЧАСТЬ ПЕРВАЯ. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
      Раздел первый. Классификация биполярных и полевых транзисторов (12).
      Раздет второй. Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре (26).
      ЧАСТЬ ВТОРАЯ. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
      Раздел третий. Транзисторы маломощные низкочастотные (36).
      Раздел четвертый. Транзисторы маломощные высокочастотные (166).
      Раздел пятый. Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные (307).
      Раздел шестой. Транзисторы мощные низкочастотные (453).
      Раздел седьмой. Транзисторы мощные высокочастотные (569).
      Раздел восьмой. Транзисторы мощные сверхвысокочастотные (671).
      Раздел девятый. Транзисторные сборки (77).
      ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ. Справочные данные полевых транзисторов
      Раздел десятый. Транзисторы маломощные (812).
      Раздел одиннадцатый. Транзисторы мощные (870).
      Раздел двенадцатый. Транзисторы сдвоенные (891).
      Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, помещенных в справочнике (901).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения.
Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.