Большая советская энциклопедия: Иоффе Абрам Федорович [17(29).10.1880, Ромны Полтавской губ., - 14.10.1960, Ленинград], советский физик, академик АН СССР (1920; член-корреспондент 1918), вице-президент АН СССР (1926-29, 1942-45), Герой Социалистического Труда (1955). Член КПСС с 1942. В 1902 окончил Петербургский технологический институт и в 1905 Мюнхенский университет. В 1903-06 работал ассистентом В.К. Рентгена в Мюнхене, где получил ученую степень доктора философии. С 1906 в Петербургском (с 1924 - Ленинградский) политехническом институте (в 1913-48 профессор). В 1913 ему была присвоена ученая степень магистра физики, а в 1915 за исследование упругих и электрических свойств кварца - степень доктора физики. С 1918 руководитель организованного по его предложению физико-технического отдела Государственного рентгенологического и радиологического института в Петрограде, а затем до 1951 директор Физико-технического института АН СССР, созданного на основе этого отдела. С 1952 директор Лаборатории полупроводников, с 1955 - Института полупроводников АН СССР. С 1932 И. - директор Физико-агрономического института, также организованного по его инициативе. По инициативе И. и при его участии были созданы физико-технические институты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске.
В 1913 И. установил статистический характер вылета отдельных электронов при внешнем фотоэффекте. И. совместно с М.В. Кирпичевой впервые выяснил механизм электропроводности ионных кристаллов (1916-1923). Совместно с сотрудниками Кирпичевой и М.А. Левитской в 1924 получил важные результаты в области прочности и пластичности кристаллов. Было также показано, что прочность твердых тел повышается в сотни раз при устранении поверхностных микроскопических дефектов; это привело к разработке высокопрочных материалов (1942-47). В исследованиях И. разработан рентгеновский метод изучения пластической деформации.
В 1931 И. впервые обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и предпринял их всестороннее исследование. Им (совместно с А.В. Иоффе) была создана методика определения основных величин, характеризующих свойства полупроводников. Исследование И. и его школой электрических свойств полупроводников (1931-40) привело к созданию их научной классификации. Эти работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники - термо- и фотоэлектрических генераторов и термоэлектрических холодильных устройств. В 1942 удостоен Государственной премии за исследования в области полупроводников. Важнейшая заслуга И. - создание школы физиков, из которой вышли многие крупные советские ученые (А.П. Александров, Л.А. Арцимович, П.Л. Капица, И.К. Кикоин, И.В. Курчатов, П.И. Лукирский, Н.Н. Семенов, Я.И. Френкель и др.). Уделяя много внимания педагогическим вопросам, организовал новый тип физического факультета - физико-технический факультет для подготовки инженеров-физиков в Политехническом институте в Петрограде (1918). Награжден 3 орденами Ленина. В 1961 И. посмертно присуждена Ленинская премия. Почетный член многих АН и научных обществ мира.

:
...