 |
- ⒶⒸКостылев С.А... Электронное переключение в аморфных полупроводниках. [Djv-Fax- 3.5M] Авторы: С.А. Костылев, В.А. Шкут. Ответственный редактор И.В. Салли.
(Киев: Издательство «Наукова думка». Редакция физико-математической литературы, 1978. - Академия наук Украинской ССР. Днепропетровское отделение института механики)
Скан, обработка, формат Djv-Fax: ???, предоставил: pohorsky, 2014
- КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
Глава 1. Некоторые физико-химические свойства аморфных материалов (5).
Глава 2. Элементы зонной структуры (16).
Глава 3. Перенос носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках (34).
Глава 4. Отрицательное дифференциальное сопротивление (64).
Глава 5. Электрические неустойчивости (92).
Глава 6. Влияние геометрических размеров образцов на электронные процессы (130).
Глава 7. Физические принципы создания микроэлектронных приборов на аморфных полупроводниках (149).
Приложение (178).
Литература (183).
ИЗ ИЗДАНИЯ: В монографии описаны физические основы явления переключения в аморфных полупроводниках - одного из наиболее перспективных для фундаментальных и прикладных исследований эффектов. Приведены новые данные о зонной структуре аморфных полупроводников и физических принципах разработки электронных устройств, использующих явления S-ОДС, переключения и процессы, протекающие в областях с высокой плотностью тока.
Рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей. |
![]() |
