Аннотация издательства: В монографии описаны физические основы явления переключения в аморфных полупроводниках - одного из наиболее перспективных для фундаментальных и прикладных исследований эффектов. Приведены новые данные о зонной структуре аморфных полупроводников и физических принципах разработки электронных устройств, использующих явления S-ОДС, переключения и процессы, протекающие в областях с высокой плотностью тока.
Рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей.