Мотт Невилл Фрэнсис (физик)

Невилл Фрэнсис Мотт 520k

(Nevill Francis Mott)

(30.09.1905 - 08.08.1996)

Википедия: Сэр Невилл Фрэнсис Мотт (англ. Nevill Francis Mott; 30 сентября 1905, Лидс, Англия - 8 августа 1996, Милтон-Кинс, Англия) - английский физик, лауреат Нобелевской премии по физике в 1977 году, совместно с Филипом Андерсоном и Джоном ван Флеком, «за фундаментальные теоретические исследования электронной структуры магнитных и неупорядоченных систем».
Член Лондонского королевского общества (1936), иностранный член Национальной академии наук США (1957).
Невилл Мотт родился в Лидсе и учился в колледже Клифтона в Бристоле, а также в колледже Св. Джона в Кембридже. В 1929 году начинает читать лекции в Манчестерском университете. После этого возвращается в 1930 году в Кембридж в качестве сотрудника и преподавателя в колледже Гонвил и Кэус. В 1933 году перешел в Бристольский университет в качестве профессора теоретической физики.
В 1948 году стал профессором физики и директором физической лаборатории в Бристоле. В 1954 году становится кавендишским профессором физики в Кембридже. Остается на этом посту до 1971 г. Также Мотт являлся в период с 1959 по 1966 год руководителем колледжа Гонвил и Кэус.
В 1992 году подписал «Предупреждение человечеству».
Научные достижения Мотта включают теоретическое объяснение воздействия света на фотоэмульсию, прояснению перехода вещества из металлического в неметаллическое состояние. Его именем названо понятие диэлектрик Мотта.
В 1936 году Мотт избран членом Лондонского королевского общества. С 1956 по 1958 являлся президентом Лондонского общества физиков. В начале 1960-х годов был председателем Британского отделения Пагуошского движения. Посвящен в рыцари в 1962 году. Продолжал работать примерно до возраста 90 лет. В 1995 году был награжден орденом Кавалеров Чести.

:
Вадим Ершов...
derevyaha, fire_varan...

СПИСОК НЕКОТОРЫХ ИЗДАНИЙ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ:
...

►

◄

невилл фрэнсис мотт на страницах библиотеки упоминается 2 раза:

* Мотт Невилл Фрэнсис (физик)
* Хагенмюллер Поль (химик)

►

◄

Архив этой страницы:

* Мотт Н.Ф., Дэвис Э.А._ Электронные процессы в некристаллических веществах. Том 1.(1982).djvu
* Мотт Н.Ф., Дэвис Э.А._ Электронные процессы в некристаллических веществах. Том 1.(1982).pdf
* Мотт Н.Ф., Дэвис Э.А._ Электронные процессы в некристаллических веществах. Том 2.(1982).djvu
* Мотт Н.Ф., Дэвис Э.А._ Электронные процессы в некристаллических веществах. Том 2.(1982).pdf
* Мотт Н.Ф., Месси Г.С._ Теория атомных столкновений.(1936).pdf
* Мотт Н.Ф., Месси Г.С._ Теория атомных столкновений.(1951).djvu
* Мотт Н.Ф., Месси Г.С._ Теория атомных столкновений.(1951).pdf
* Мотт Н.Ф., Снеддон И.Н._ Волновая механика и ее применения.(1966).djvu
* Мотт Н.Ф., Снеддон И.Н._ Волновая механика и ее применения.(1966).pdf
* Мотт Н.Ф._ Переходы металл-изолятор.(1979).djvu
* Мотт Н.Ф._ Переходы металл-изолятор.(1979).pdf
* Мотт Н.Ф._ Электронные процессы в некристаллических веществах.(1974).pdf
* Мотт Н.Ф._ Электроны в неупорядоченных структурах.(1969).djvu
* Мотт Н.Ф._ Электроны в неупорядоченных структурах.(1969).pdf
* Mott_N.F...__Elektronnye_processy_v_ionnyh_kristallah.(1950).[djv].zip
* Mott_N.F...__Elektronnye_processy_v_ionnyh_kristallah.(1950).[pdf].zip

ОПИСАНИЯ НЕКОТОРЫХ ИЗДАНИЙ

►

◄

Список описываемых изданий (групп изданий):

* Мотт Н.Ф... Электронные процессы в ионных кристаллах. (1950)

▼

▲

Ⓐ ⒸМотт Н.Ф... Электронные процессы в ионных кристаллах. (Electeonic processes in ionic crystals, 1948) [Djv-10.9M] [Pdf-14.4M] Авторы: Невилл Фрэнсис Мотт, Рональд Уилфрид Герни (Nevill Francis Mott, Ronald Wilfrid Gurney). Перевод с английского: Б.И. Болтакс, Т.А. Конторова, С.М. Рыбкин. Предисловие: А.Ф. Иоффе. Редактор: А.Ф. Иоффе.
(Москва: Издательство Иностранной литературы, 1950)
Скан, обработка, формат Pdf: derevyaha, fire_varan, 2023

ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (5).
Введение (7).
Глава I. Идеальная ионная решетка (9).
1. Введение (9).
2. Силы сцепления в ионных кристаллах; теория (9).
3. Силы сцепления; сравнение с опытом (15).
4. Полярная и гомеополярная связь (17).
5. Диэлектрическая постоянная (19).
А. Поляризуемость ионов (19).
Б. Диэлектрическая постоянная в статических полях (29).
6. Колебания решетки в ионных кристаллах (33).
Литература (36).
Глава II. Дефекты решетки в тепловой равновесии (38).
1. Различные типы дефектов в решетке (38).
2. Степень беспорядка; подробные формулы (42).
3. Диффузия дефектов решетки (46).
4. Электролитическая проводимость полярных кристаллов (50).
5. Ионная проводимость и теория дефектов в кристалле (54).
6. Подвижность и энергия активации (59).
7. Теоретический расчет энергии активации (71).
8. Кристаллы с аномально высокой ионной проводимостью (77).
9. Дополнение. Теоретический вывод соотношения Эйнштейна между подвижностью v и коэффициентом диффузии D заряженной частицы (78).
Литература (79).
Глава III. Электроны в полярных кристаллах (80).
1. Электроны в периодическом поле (80).
2. Методы описания сил сцепления в твердых телах; атомная модель (Гейтлер - Лондон) и модель объединенных электронов (Блох) (81).
Положительные дырки (84).
3. Электроны в полярных кристаллах (85).
4. Положительные дырки в ионных кристаллах (91).
5. Захват электронов неоднородностями кристаллической решетки (98).
А. Захват электронов дефектами решетки (98).
Б. Поверхностные уровни (104).
В. Захват электронов идеальной кристаллической решеткой по Ландау (104).
6. Поглощение света неметаллами (107).
7. Поглощение щелочно-галоидных кристаллов в ультрафиолетовой области (112).
8. Спектры поглощения других полярных кристаллов (119).
9. Спектры поглощения, обусловленные примесями и захватом электронов (121).
10. Абсолютное значение коэффициента поглощения (122).
11. Фотопроводимость (123).
12. Средняя длина свободного пробега электрона в изоляторе (124).
Литература (129).
Глава IV. Центры окрашивания в щелочно-галоидных соединениях и связанные с ними явления (131).
1. Кристаллы нестехиометрического состава (131).
2. Модель центров окрашивания (133).
3. Спектр поглощения электрона, захваченного вакантным узлом решетки (136).
4. Фотопроводимость изолирующих кристаллов (139).
5. Сдвиг фотоэлектронов (146).
А. Щелочно-галоидные кристаллы с центрами окраски (146).
Б. Фотоэлектроны в других кристаллах (154).
6. Температурная зависимость фототока (156).
А. Щелочно-галоидные кристаллы (156).
Б. Другие изолирующие кристаллы (160).
7. Перемещение F-центров (162).
8. Кристалл в тепловом равновесии с паром (166).
9. Образование F-центров из U-центров (170).
Литература (175).
Глава V. Полупроводники и изоляторы (176).
1. Различные типы полупроводников (176).
2. Изменение проводимости с температурой (181).
3. Соотношение между тепловой и оптической энергиями активации (185).
4. Обсуждение некоторых экспериментальных данных, касающихся полупроводников (187).
5. Подвижность электронов в полупроводниках (192).
6. Контакт металла с изолятором (193).
7. Контакт металла с полупроводником (199).
8. Выпрямление на границе между металлом и полупроводником (202).
9. Вторичные фототоки в изоляторах (211).
10. Фототок в полупроводниках (214).
11. Фотоэлектродвижущие силы и свойства вентильных фотоэлементов (218).
12. Проводимость в очень сильных полях (221).
13. Пробой диэлектриков (222).
Литература (226).
Глава VI. Люминесценция и рассеяние энергии (229).
1. Введение (229).
2. Затухание послесвечения (235).
3. Рассеяние энергии в виде тепла. Условия возникновения люминесценции и зависимость флуоресценции от температуры (246).
4. Нефотопроводящие фосфоры, активированные примесями. Щелочно-галоидные фосфоры, активированные таллием (250).
Литература (253).
Глава VII. Фотохимические процессы в галоидах серебра и скрытое фотографическое изображение (254).
1. Фотохимическое восстановление галоидов серебра (254).
2. Явление «видимого потемнения» (256).
3. Скорость роста крупинок серебра (260).
4. Скрытое изображение (262).
5. Химическое проявление (263).
6. Размеры скрытого изображения (266).
7. Влияние низких температур на образование скрытого изображения (267).
8. Влияние температуры на первичный процесс (270).
9. Сенсибилизация красителями (270).
10. Эффект Гершеля (272).
11. Нарушение закона взаимности (274).
12. Дополнение (276).
Литература (277).
Глава VIII. Процессы, связанные с переносом: ионов и электронов (279).
1. Окисление металлов (279).
2. Восстановление ионных кристаллов (293).
Образование ядер (296).
Литература (299).
Дополнение. Значения ионных радиусов (в см x 10\-8) (300).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Авторы книги «Электронные процессы в ионных кристаллах» поставили перед собой задачу описать основные закономерности электронных процессов, имеющих место в ионных кристаллах, и облечь их в четкую математическую форму, пользуясь в основном аппаратом квантовой механики. Им удалось в сравнительно простой форме изложить многие сложные вопросы и сделать их доступными не только теоретикам, но и экспериментаторам.
Книга будет полезна для физиков, изучающих полупроводники, и для инженеров, работающих в одной из областей их применения.