«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Московский Институт Электронной Техники

Московский институт электронной техники 473k

-

(1965)

Википедия: Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ) - российский технический университет в области электроники, информационных и компьютерных технологий, один из 29 национальных исследовательских университетов. Основан в 1965 году; территориально расположен в Зеленограде.
Издает научные журналы «Известия высших учебных заведений. Электроника» (с 1996 года) и «Экономические и социально-гуманитарные исследования» (с 2014 года).
Основан 26 ноября 1965 года, однако официальной датой рождения считается 9 декабря 1965 года, когда соответствующее постановление Совета министров СССР было исполнено министерствами высшего и среднего специального образования СССР и РСФСР.
В январе 1966 года исполняющим обязанности ректора стал профессор Московского горного института Леонид Викторович Ершов. В апреле институту были выделены несколько квартир в одном из корпусов 1-м микрорайона для организации администрации и приема первых преподавателей, и начато строительство первого здания (школы) в Северной промышленной зоне. В августе на должность ректора МИЭТ был назначен бывший декан приборостроительного факультета МВТУ им. Баумана профессор Леонид Николаевич Преснухин, а для заселения иногородних студентов выделен один из корпусов общежития строителей на улице Юности (ныне студгородок МИЭТ).
1 сентября 1966 года - стало первым 1 сентября нового вуза. Первокурсниками стали 250 человек, еще 35 человек стали студентами второго курса - в основном это были жители города Зеленограда, окончившие первый курс в других вузах. Занятия проводились на втором этаже еще достраиваемой школы и в общежитии.
В 1967 году начато строительство основного комплекса зданий института, под который была выделена площадка в Южной промышленной зоне города. Архитекторами комплекса стали Феликс Аронович Новиков и Григорий Ефимович Саевич, инженером-конструктором - Юрий Ионов. В проект комплекса были заложены отдельные архитектурные решения комплекса Хельсинкского политехнического университета, построенного в 1954-1969 годах по проекту архитектора Алвара Аалто. Как и в проекте Аалто, учебные корпуса, библиотека, клуб и спорткомплекс должны были быть построены из красного кирпича и объединены переходами в один микрогород.
В 1969 году был введен в эксплуатацию учебный корпус №3 (младшие курсы и общеобразовательные кафедры), а в 1970 году - корпус №4 (старшие курсы и выпускающие кафедры); в результате институт смог полностью переехать на собственные площади. В 1971 году после ввода в эксплуатацию корпуса №1 (администрация, библиотека и большие потоковые лектории) и корпуса №2 (клуб с актовым залом и столовая) строительство комплекса института было в основе завершено, и 27 декабря на торжественном открытии комплекса институту был вручен символический ключ.
Художественное оформление внешних стен библиотеки главного корпуса было выполнено в 1974 году скульптором Эрнстом Неизвестным в виде огромного (970 м?, на все четыре стены) белого барельефа «Становление человека разумного».
В 1972-1973 учебном году в институте училось около 6000 студентов, а также работало около 400 преподавателей из которых 30 были профессорами и докторами наук, а еще около 200 являлись доцентами и кандидатами наук.
11 марта 1984 года институт был награжден Орденом Трудового Красного Знамени «за заслуги в создании специальной техники и в деле подготовки высококвалифицированных специалистов».
В 1992 году институт получил статус технического университета и наименование Московский государственный институт электронной техники (технический университет).
В 2000 году университет в дополнении к своему классическому логотипу - МИЭТ-осциллограмме - получил собственный герб, разработанный РОО «Академия русской символики «Марс».
В 2010 году МИЭТ получил статус национального исследовательского университета, и в 2011 году был переименован в Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (в 2015 году название университета было уточнено до Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»)...
  • Основы микроэлектроники и технологии производства микросхем. Часть 1. [Djv-12.1M] Учебное пособие. Авторы-составители: Николай Арсентьевич Барканов, И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, О.В. Митрофанов, Г.К. Самохвалов, Ю.А. Шер. Под редакцией И.Е. Ефимова.
    (Москва: Редакционно-издательский отдел Московского института электронной техники, 1971. - Министерство высшего и среднего специального образования СССР. Московский институт электронной техники)
    Скан: zsa777, обработка, формат Djv: anton ro, 2017
    • КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
      Предисловие (3).
      Введение (5).
      Глава I. Основные направления микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры (9).
      Глава II. Терминология микроминиатюризации и микроэлектроники (16).
      Глава III. Миниатюризация дискретных элементов обычной формы (33).
      Глава IV. Уплотненный монтаж дискретных элементов обычной формы (63).
      Глава V. Уплотненный монтаж дискретных элементов специальной формы (микромодули) (69).
      Глава VI. Физические основы пленочной электроники (134).
      Глава VII. Основы технологии пленочных интегральных схем (181).
      Литература (293).
Предисловие: Создание высоконадежных, малогабаритных и высокопроизводительных радиоэлектронных вычислительных устройств стало возможным благодаря развитию новых методов конструирования микроминиатюрной радиоэлектронной аппаратуры. Из различных направлений микроминиатюризации особенно эффективной оказалась интегральная микроэлектроника, основанная на последних достижениях физики пленок и полупроводников, функционально-узловом методе конструирования и групповой технологии изготовления микросхем. В настоящее время микроэлектроника развивается по трем основным направлениям - пленочные ИС, полупроводниковые ИС и функциональные схемы.
Традиционные принципы и методы проектирования радиоэлектронной аппаратуры оказались непригодными для конструирования микросхем, для изготовления которых появились новые технологические процессы.
Внедрение микросхем в ряд областей техники связано с переподготовкой и обучением большого числа специалистов по микроэлектронике.
В учебных планах некоторых вузов микроэлектроника вылилась в отдельно изучаемую дисциплину. При подготовке инженерных кадров по этой специальности необходимы знания в области физики пленок, конструирования и технологии производства микросхем. Поскольку в настоящее время нет единого литературного источника, где бы полностью были отражены эти вопросы, то данное пособие, явилось попыткой систематизировать материал по некоторым вопросам микроэлектроники.
Пособие состоит из двух частей (7 глав - в первой части, 5 - во второй). Первая часть посвящена рассмотрению функционально-узлового метода конструирования, микроминиатюризации, физическим основам, конструированию и технологии изготовления ИС на основе тонких, толстых и магнитных пленок. Во второй части описаны физические основы полупроводниковой электроники, технологии изготовления к проектирования полупроводниковых ИС, дана общая характеристика метода контроля и испытаний ИС, указаны пути дальнейшего развития микроэлектроники.
Пособие рассчитано на студентов и аспирантов, специализирующихся по микроэлектронике, а также инженеров, работающих в данной области.
При написании пособия использованы материалы, опубликованные в периодической печати, некоторые работы авторов, а также материалы курсов лекций по микроэлектронике, прочитанных авторами в 1968-1970 гг. студентам всех факультетов МИЭТ...
  • Основы микроэлектроники и технологии производства микросхем. Часть 2. [Djv-14.9M] Учебное пособие. Авторы-составители: Николай Арсентьевич Барканов, И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, О.В. Митрофанов, Г.К. Самохвалов, Ю.А. Шер. Под редакцией И.Е. Ефимова.
    (Москва: Редакционно-издательский отдел Московского института электронной техники, 1971. - Министерство высшего и среднего специального образования СССР. Московский институт электронной техники)
    Скан: zsa777, обработка, формат Djv: anton ro, 2017
    • КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ:
      Глава I. Физические основы полупроводниковых интегральных схем (3).
      Глава II. Основы технологии полупроводниковых интегральных схем (35).
      Глава III. Проектирование интегральных схем (203).
      Глава IV. Измерения, испытания и надежность микросхем (316).
      Глава V. Новые направления развития микроэлектроники (341).
      Литература (349).
.