 |
- ⒶⒸРаскин А.А., Прокофьева В.К. Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники. Часть 1. [Djv-Fax- 1.5M] Учебное пособие.
(Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010)
Скан, обработка, формат Djv-Fax: pohorsky, 2010
- ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (5).
Глава 1. Основные технологические процессы (7).
1.1. Основная номенклатура, классификация и общие требования к материалам микро-, опто- и наноэлектроники (7).
1.2. Свойства индивидуальных веществ и их смесей, используемых в электронной технике (9).
1.3. Чистота материалов, их классификация (12).
1.4. Теория подобия. Моделирование технологических процессов (16).
1.5. Разделение гетерогенных систем в гравитационном, центробежном и электрическом полях (19).
1.6. Фильтрование. Промывка осадков (23).
1.7. Процессы переноса вещества (26).
1.8. Движущая сила массопереноса. Методы ее расчета (32).
1.9. Абсорбция (36).
1.10. Экстракция (40).
1.11. Перегонка жидкостей (45).
1.12. Технологический расчет ректификации (49).
1.13. Высушивание влажных материалов (52).
1.14. Адсорбция (56).
1.15. Ионный обмен (60).
1.16. Кристаллизация из растворов (63).
1.17. Кристаллизация из расплавов (66).
1.18. Получение однородно легированных по длине монокристаллов (71).
1.19. Химические транспортные реакции (75).
Глава 2. Технология элементарных полупроводников (79).
2.1. Технология германия (79).
2.1.1. Физические и химические свойства германия (79).
2.1.2. Технология получения поликристаллического германия (82).
2.1.3. Выращивание монокристаллов германия (88).
2.2. Технология кремния (101).
2.2.1. Химические и физические свойства кремния (101).
2.2.2. Технология получения поликристаллического кремния (107).
2.2.3. Технология выращивания монокристаллов (119).
2.2.4. Тепло- и массообмен при выращивании объемных монокристаллов (122).
2.2.5. Термические условия при медленном росте (124).
Глава 3. Технология полупроводниковых соединений АIIIВV (131).
3.1. Природа полупроводниковых соединений (131).
3.2. Свойства полупроводниковых соединений (140).
3.3. Особенности технологии соединений (142).
3.4. Технология получения монокристаллов соединений с заданными свойствами (147).
3.4.1. Поведение примесей и собственных точечных дефектов в полупроводниках АIIIВV (148).
3.4.2. Выращивание монокристаллов соединений (153).
3.5. Технология получения эпитаксиальных структур (159).
Литература (164).
ИЗ ИЗДАНИЯ: В учебном пособии рассматриваются физико-химические процессы получения материалов, используемых в микро-, опто- и наноэлектронике, в том числе операции выделения химического индивида из исходного сырья, очистка в виде соединений, финишное рафинирование, получение монокристаллов с заданными свойствами.
Для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника». Полезно также специалистам, работающим в соответствующей области. |
![]() |
