«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Спиридонов Николай Спиридонович
Фотографии

Николай Спиридонович Спиридонов 291k

-

()

◄ СМЕНИТЬ   РАЗВЕРНУТЬ ▼
▲ СВЕРНУТЬ    СМЕНИТЬ ►
.
Обложки




Обложка 1
  • Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. [Djv- 7.8M] [Pdf- 8.9M] Автор: Николай Спиридонович Спиридонов. Художник переплета: Л.Б. Сергий.
    (Киев: Издательство «Техника»: Редакция литературы по энергетике, электронике, кибернетике и связи, 1969)
    Скан: AAW, OCR, обработка, формат Djv, Pdf: pohorsky, 2022
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Глава 1. Электропроводность полупроводников (5).
      1. Энергетические диаграммы кристаллов (5).
      2. Электронная и дырочная проводимости полупроводника (11).
      3. Квантовая статистика электронов и дырок в полупроводнике. Уровень Ферми (16).
      4. Подвижность носителей тока в полупроводнике (25).
      5. Зависимость проводимости полупроводника от концентрации примесей и температуры (27).
      6. Рекомбинация и время жизни неравновесных носителей (29).
      7. Прохождение тока в полупроводнике (32).
      8. Изготовление монокристаллов германия и кремния (36).
      Глава 2. Теория электронно-дырочного перехода (41).
      1. Потенциальный барьер в равновесном p-n-переходе (41).
      2. Потенциальный барьер p-n-перехода при постоянном смещении (47).
      3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (51).
      4. Ширина перехода. Напряженность поля и распределение потенциала в p-n-переходе (56).
      5. Емкостные свойства p-n-перехода (60).
      6. Пробой p-n-перехода (62).
      Глава 3. Общие сведения о плоскостных транзисторах (66).
      1. Принцип действия плоскостного транзистора в усилительном режиме (66).
      2. Бездрейфовый транзистор (69).
      3. Дрейфовый транзистор (72).
      4. Коэффициент усиления по току (74).
      5. Понятие об эквивалентных схемах транзисторов (78).
      6. Общие вопросы конструирования транзисторов (79).
      7. Технологические методы изготовления транзисторов (82).
      Глава 4. Анализ процессов переноса носителей в базовой области (88).
      1. Постановка задачи и основные допущения (88).
      2. Общее решение уравнения переноса носителей плоскостного транзистора (90).
      3. Распределение постоянной составляющей неравновесных носителей в базе плоскостного транзистора (94).
      4. Решение уравнения переноса носителей для составляющих плотности избыточных дырок (100).
      Глава 5. Статические характеристики транзисторов (108).
      1. Основные уравнения вольт-амперных характеристик транзистора (108).
      2. Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой (112).
      3. Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером (118).
      Глава 6. Частотные свойства плоскостного транзистора (124).
      1. Предельная частота коэффициента переноса wb (124).
      2. Предельная частота дрейфового транзистора при переменной подвижности носителей в базе (129).
      3. Аппроксимация частотной зависимости коэффициента переноса транзистора (132).
      4. Предельная частота усиления по току реального транзистора (138).
      5. Определение предельной частоты сор теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора wa (145).
      6. Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером (148).
      7. Максимальная частота усиления по току (151).
      8. Максимальная частота генерации транзистора (155).
      9. Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора (158).
      Глава 7. Анализ электрических свойств транзистора методом четырехполюсника (161).
      1. Методы анализа электрических свойств транзистора (161).
      2. Параметры транзистора как четырехполюсника (162).
      3. Применение уравнений четырехполюсника для расчета транзисторных схем (169).
      Глава 8. Эквивалентные схемы транзистора (171).
      1. Методы составления эквивалентных схем транзистора (171).
      2. Эквивалентные схемы замещения четырехполюсника (174).
      3. Матрица проводимости теоретической модели транзистора (176).
      4. Омические сопротивления базы и коллектора (183).
      5. Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора (192).
      6. П-образная эквивалентная схема плоскостного транзистора (196).
      7. Эквивалентная схема для Z-параметров транзистора (Т-образная эквивалентная схема) (204).
      Глава 9. Шумы транзисторов (209).
      1. Методика оценки шумовых свойств транзистора (209).
      2. Основные источники шума в транзисторе (214).
      3. Эквивалентные шумовые схемы транзисторов. Зависимость коэффициента шума от режима транзистора и частоты (219).
      Глава 10. Работа транзистора в импульсном режиме (226).
      1. Статические характеристики транзистора в режиме большого сигнала (226).
      2. Анализ транзистора в режиме отсечки (228).
      3. Анализ транзистора в режиме насыщения (237).
      4. Общие сведения о переходных процессах в транзисторе (246).
      5. Анализ переходных процессов в транзисторе методом решения дифференциальных уравнений (251).
      6. Анализ переходных процессов в транзисторе методом эквивалентных схем (257).
      7. Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда (262).
      8. Влияние электронных токов и емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе (266).
      Глава 11. Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры (269).
      1. Зависимость коэффициента усиления по току плоскостного транзистора от тока эмиттера (269).
      2. Влияние температуры на статические характеристики транзистора (277).
      3. Температурная зависимость параметров эквивалентной схемы транзистора (281).
      4. Тепловые характеристики транзистора в стационарном режиме (284).
      5. Динамический тепловой режим транзистора (288).
      Литература (292).
Аннотация издательства: Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя p-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых транзисторов. Предназначена для инженеров, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, и может быть полезной студентам вузов.
Обложка 2
Обложка 1
  • Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. [Djv- 8.8M] [Pdf-10.1M] Издание 2-е, исправленное и дополненное. Автор: Николай Спиридонович Спиридонов. Художник переплета: Г.Г. Рябоконь.
    (Киев: Издательство «Техника»: Редакция литературы по энергетике, электронике, кибернетике и связи, 1975)
    Скан: AAW, OCR, обработка, формат Djv, Pdf: pohorsky, 2022
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Глава 1. Физические процессы в биполярных транзисторах (5).
      1. Носители зарядов в равновесном полупроводнике (5).
      2. Явления переноса носителей в полупроводнике (9).
      3. Электронно-дырочный переход (15).
      4. Устройство и принцип действия биполярного транзистора (27).
      5. Схемы включения. Коэффициент усиления по току (36).
      6. Технологические методы изготовления транзисторов (40).
      Глава 2. Математические модели биполярных транзисторов (48).
      1. Требования, предъявляемые к математическим моделям транзистора (48).
      2. Классификация моделей транзисторов (52).
      3. Модели транзисторов с параметрами цепи (61).
      4. Построение математических моделей транзистора на основе решения уравнений физических процессов (72).
      5. Модель транзистора, полученная прямым решением уравнения переноса (79).
      6. Модель с сосредоточенными параметрами (модель Линвилла [5, 33, 154]) (84).
      7. Зарядоуправляемая модель (89).
      8. Модель Эберса - Молла (92).
      Глава 3. Анализ процессов в биполярном транзисторе на постоянном токе. Статические модели транзистора (94).
      1. Распределение плотности инжектированных носителей в базе транзистора в одномерном приближении (94).
      2. Распределение плотностей диффузионного и дрейфового токов в базовой области биполярного транзистора (101).
      3. Решение уравнения переноса носителей в базовой области биполярного транзистора при постоянном токе (104).
      4. Распределение плотности неравновесных носителей в пассивной области базы. Токи в пассивной области (108).
      5. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в активном режиме (112).
      6. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме насыщения (118).
      7. Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме запирания (122).
      8. Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой (124).
      9. Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером (135).
      Глава 4. Частотные свойства биполярного транзистора (144).
      1. Время пролета неосновных носителей в базе (144).
      2. Решение уравнения переноса носителей биполярного транзистора для переменного тока (153).
      3. Частотная зависимость коэффициента переноса носителей биполярного транзистора. Предельная частота wb (159).
      4. Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером (173).
      5. Граничная частота усиления по току (176).
      6. Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора (179).
      7. Максимальная частота генерации транзистора (181).
      8. Предельная частота усиления по току реального транзистора (184).
      9. Определение предельной частоты wb теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора wa (190).
      Глава 5. Малосигнальные модели биполярного транзистора (193).
      1. Методы составления электрических моделей транзисторов на малом сигнале (193).
      2. Частотные зависимости характеристических проводимостей внутреннего транзистора (195).
      3. П-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора (201).
      4. Т-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора (208).
      5. Омические сопротивления базы и коллектора (211).
      6. Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора (222).
      7. Эквивалентные схемы биполярного транзистора, учитывающие внешние параметры (226).
      Глава 6. Переходные процессы в биполярных транзисторах. Динамические модели транзисторов для большого сигнала (233).
      1. Принцип действия транзисторного ключа (233).
      2. Стационарные состояния транзисторного ключа (235).
      3. Общие сведения о переходных процессах в транзисторе (240).
      4. Длительность задержки включения транзисторного ключа (247).
      5. Анализ переходных процессов в транзисторе методом прямого решения дифференциальных уравнений в частных производных Г. (251).
      6. Анализ переходных процессов методом заряда (256).
      7. Нелинейная динамическая модель транзистора для большого сигнала при однополюсной аппроксимации частотной зависимости а (263).
      Глава 7. Особенности интегрального биполярного транзистора (269).
      1. Конструкция и технология изготовления интегральных транзисторов [5, 18,58, 167] (269).
      2. Модели трехпереходного интегрального транзистора (273).
      3. Влияние паразитных связей на параметры интегральных транзисторов (281).
      Глава 8. Анализ процессов в транзисторе с участком тормозящего поля в базе (284).
      1. Особенности распределения примесей в транзисторах, изготовляемых многократной диффузией (284).
      2. Транзистор с тормозящим полем в базовой области (285).
      3. Коэффициент переноса носителей в транзисторе с участком тормозящего поля (291).
      4. Расчет времени пролета носителей и граничной частоты усиления дрейфового транзистора с участками тормозящего и ускоряющего полей в базовой области (295).
      Глава 9. Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры (299).
      1. Анализ процессов переноса носителей в базе транзистора при большом уровне инжекции на постоянном токе (299).
      2. Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при большом уровне инжекции (305).
      3. Зависимость граничной частоты усиления транзистора от уровня инжекции (308).
      4. Влияние температуры на параметры транзистора (310).
      5. Тепловые характеристики транзистора (316).
      Глава 10. Полевые транзисторы с изолированным затвором (322).
      1. Физические процессы в МДП-транзисторах (322).
      2. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора (333).
      3. Параметры и эквивалентные схемы МДП-транзисторов в режиме усиления малых сигналов (339).
      4. Работа МДП-транзистора в переключающих устройствах (345).
      Литература (351).
Аннотация издательства: Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.
Обложка 2
Обложка 1
  • Спиридонов Н.С... Дрейфовые транзисторы. [Djv- 4.9M] [Pdf- 5.5M] Авторы: Николай Спиридонович Спиридонов, Владимир Иванович Вертоградов. Обложка: художник В.Т. Сидоренко.
    (Москва: Издательство «Советское радио», 1964)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv, Pdf: pohorsky, 2022
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Принятые обозначения (6).
      Глава первая. Понятие о бездрейфовых и дрейфовых транзисторах (13).
      Глава вторая. Технология изготовления дрейфовых транзисторов (21).
      2.1. Диффузия примесей в твердый полупроводник (21).
      2.2. Изготовление p-n перехода методом диффузии примесей в полупроводник (25).
      2.3. Методы изготовления высокочастотных дрейфовых транзисторов (30).
      2.4. Расчет распределения примесей в базе и коллекторном переходе дрейфового транзистора (43).
      Глава третья. Теория дрейфового транзистора (54).
      3.1. Основные допущения (54).
      3.2. Электрическое поле в базовой области. Уравнение переноса носителей дрейфового транзистора (56).
      3.3. Решение уравнения переноса носителей дрейфового транзистора (63).
      3.4. Матрица проводимости теоретической модели дрейфового транзистора (71).
      Глава четвертая. Частотные свойства дрейфового транзистора (80).
      4.1. Частотная зависимость коэффициента передачи дрейфового транзистора (80).
      4.2. Расчет предельной частоты коэффициента переноса дрейфового транзистора при постоянной подвижности носителей в базе (86).
      4.3. Предельная частота коэффициента переноса при переменной подвижности носителей в базовой области (92).
      4.4. Расчет предельной частоты реального транзистора (103).
      4.5. Расчет соотношения предельных частот теоретической модели и реального транзистора при известной предельной частоте реального транзистора (115).
      4.6. Время переноса дырок через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора (120).
      4.7. Максимальная частота усиления по току дрейфового транзистора wt (123).
      Глава пятая. Эквивалентная схема дрейфового транзистора (127).
      5.1. Введение (127).
      5.2. П-образная эквивалентная схема теоретической модели дрейфового транзистора (128).
      6.3. П-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора (136).
      5.4. Т-образная эквивалентная схема дрейфового транзистора (144).
      5.5. Низкочастотная эквивалентная схема дрейфового транзистора (148).
      5.6. Емкости переходов дрейфового транзистора (155).
      Глава шестая. Работа дрейфового транзистора в импульсном режиме (163).
      6.1. Особенности импульсного режима транзисторов (163).
      6.2. Коэффициент передачи тока дрейфового транзистора при большой плотности тока (166).
      6.3. Переходная характеристика дрейфового транзистора (172).
      6.4. Длительность переходных процессов дрейфового транзистора (179).
      6.5. Влияние емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе (183).
      Глава седьмая. Влияние температуры на физические параметры дрейфовых транзисторов (190).
      7.1. Общие сведения (190).
      7.2. Концентрация основных и неосновных носителей в базе дрейфового транзистора в диапазоне температур (191).
      7.3. Температурная зависимость подвижности носителей (196).
      7.4. Температурная зависимость времени пролета носителей и предельной частоты дрейфового транзистора (207).
      7.5. Температурная зависимость проводимости слоя полупроводника (212).
      7.6. Температурная зависимость времени жизни неосновных носителей в базе (214).
      7.7. Диффузионная длина дырок (217).
      7.8. Температурная зависимость параметров дрейфовых триодов, изготовленных из высокоомного германия (219).
      Глава восьмая. Влияние температуры на параметры эквивалентной схемы дрейфового транзистора (227).
      8.1. Предварительные замечания (227).
      8.2. Температурные зависимости активных сопротивлений базы и коллекторной области (228).
      8.3. Температурная зависимость емкостей переходов (238).
      8.4. Влияние температуры на коэффициент передачи тока на высоких частотах (242).
      8.5. Влияние температуры на максимальную частоту генерации дрейфового транзистора (247).
      8.6. Температурные зависимости низкочастотных параметров дрейфовых транзисторов (249).
      8.7. Расчет влияния температуры на параметры высокочастотной эквивалентной схемы дрейфового транзистора (254).
      8.8. Температурная зависимость параметров постоянного тока (262).
      8.9. Сравнение температурных свойств дрейфовых и бездрейфовых транзисторов (270).
      Приложение. Технические данные отечественных транзисторов дрейфового типа (П401 - П403А, П410 - П411, П414 - П415Б, П416 - П416Б) (273).
      Литература (299).
Аннотация издательства: Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов.
Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших учебных заведений.
Обложка 2