Зебрев Геннадий Иванович

Геннадий Иванович Зебрев 116k

-

()

...доктор технических наук, профессор кафедры микро- и наноэлектроники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», специалист в области физики и моделирования наноэлектронных структур и радиационных эффектов в микроэлектронных компонентах.
Автор более 100 статей, нескольких учебных пособий и монографий. Награжден медалью им. М.В. Келдыша Федерации космонавтики за заслуги перед отечественной космонавтикой.

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

геннадий иванович зебрев на страницах библиотеки упоминается 1 раз:
* Зебрев Геннадий Иванович

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

Издания:
* Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники. (2011) Учебное пособие

▼

▲

Ⓐ ⒸЗебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники. [Djv- 3.1M] Учебное пособие для вузов. Учебное издание.
(Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - Серия «Нанотехнологии»)
Скан, OCR, обработка, формат Djv: mor, 2014

КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
Глава 1. Базисные физические уравнения (5).
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии (30).
Глава 3. Структуры металл - окисел - полупроводник (54).
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ (85).
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ (105).
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей (129).
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ (143).
Глава 8. Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе» (159).
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий (174).
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах (188).
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах (210).
Литература (225).
Приложения (233).

Аннотация издательства: Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм.
Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».